公开(公告)号：CN107902702A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711156450.X

申请日：2017-11-20

申请人： 中国科学院大学

发明人： 刘向峰 ,  高睿 ,  黄淇 ,  曾子建 ,  胡中波

IPC分类号： C01G51/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C01G51/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64

摘要： 本发明涉及一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法，属于纳米材料制备技术领域。本方法在低温液相搅拌条件下即可制得有机前驱体，再通过严格控制煅烧温度、煅烧时间煅烧气氛，即可制得钴基氧化物超薄纳米片，惰性气氛中煅烧可得到氧化亚钴纳米片。同时将本方法中的一部分钴盐代替为乙酸镍，乙酸锰，均可以得到具有尖晶石结构的超薄钴基氧化物纳米片。本发明方法可以直接在室温下合成前驱体，快捷高效，煅烧步骤简单省时。本方法制备的钴基氧化物纳米片结晶性良好，厚度分布均匀。本方法使用的原料成本低廉、易于获得、且对环境污染较小，反应条件温和且易于控制，反应溶剂可直接回收再利用，因而易于实现工业化生产。