公开(公告)号：CN104955900B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201480005966.2

申请日：2014-01-22

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 秋山胜宏 ,  松野佑 ,  江口弘 ,  山中一广 ,  中辻惇也 ,  河合亘 ,  小川毅

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C09K3/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56

CPC classification number: C08G77/12 ,  C08G77/08 ,  C08G77/16 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  C09D183/14 ,  C09K3/1018 ,  H01L23/296 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种固化性组合物，其包含：具有Si-OH基和Si-H基的特定结构和组成的聚硅氧烷(A)；具有Si-OH基和Si-CH＝CH2基的特定结构和组成的聚硅氧烷(B)；以及含有选自由铂化合物、钯化合物和铑化合物组成的组中的至少1种金属化合物的催化剂量的氢化硅烷化催化剂。该固化性组合物中，由于调整了各聚硅氧烷的种类以及Si-OH基的含量，因此在聚硅氧烷固化时，相对于Si-CH＝CH2基与Si-H基进行反应的氢化硅烷化反应，可以抑制Si-OH基之间发生的脱水缩合反应，能够抑制固化体中的发泡。进而，在形成固化膜时，能够提供与半导体基板等基体的优异的密合性。

公开(公告)号：CN1886409A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035080.9

申请日：2004-11-09

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 小川毅 ,  村松善弘 ,  大桥满也

IPC: C07F7/08

CPC classification number: C07F7/0896

Abstract: 本发明提供一种有机硅烷的制造方法，通过将以式(1)SiXnR4－n…(1)(其中，X表示卤素或烷氧基，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷还原，制造对应的式(2)SiHnR4－n…(2)(其中，n表示1～3的整数，R表示烷基或芳基)表示的有机硅烷。该制造方法中，作为反应溶剂使用芳香族烃类有机溶剂，作为氢化剂使用氢化锂铝。