公开(公告)号：CN102554379B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201210004225.5

申请日：2012-01-09

Applicant: 清华大学 ,  佛山市顺德区赛锐工具有限公司 ,  佛山市顺德区萨锐数控电火花机研究中心

Inventor： 何平 ,  叶佩青 ,  方晨曦 ,  史少华

IPC: B23H9/00 ,  B23H7/26

Abstract: 本发明涉及一种超硬刀具电火花加工装置及操作方法，它包括精密数控电火花成型加工机床，机床的床身上设置有常规旋转工作台、旋转电机和伺服系统，其特征在于：机床的床身上还设置有三坐标工作台，三坐标工作台通过连接轴连接十字滑台，十字滑台上设置有旋转电极；三坐标工作台包括三根相互正交的X轴、Y轴和Z轴，X轴和Y轴为水平方向，Z轴垂直于X轴和Y轴组成的水平面；十字滑台设置在旋转工作台与三坐标工作台之间，十字滑台包括两根相互正交的U轴和V轴，U轴与X轴平行，V轴与Y轴平行；连接轴垂直连接X轴和V轴，且与Z轴平行；旋转电极垂向设置在U轴的底部。本发明免去了大量的坐标转换计算，使刀具的展成加工编程可以简单实现，可用于各种硬质刀具的成型加工过程中。

公开(公告)号：CN1457088A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03137307.0

申请日：2003-06-10

Applicant: 清华大学 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲 ,  董业民 ,  陈猛 ,  王曦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺。这种工艺和体硅及SOI工艺完全兼容，只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版和在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋SiO2层4个工艺步骤，制造出沟道有热、电通道结构的SOI MOSFET器件。该制造工艺简单、易控制，克服了SOI器件的浮体效应和自热效应，使SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性大大提高。

公开(公告)号：CN2638246Y

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03266116.9

申请日：2003-06-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 李志坚 ,  田立林 ,  何平 ,  林羲

IPC: H01L29/78

Abstract: 本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOI MOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。