公开(公告)号：CN101553753A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200780045437.5

申请日：2007-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 酒井明 ,  宫田浩克 ,  浅尾恭史 ,  石田阳平 ,  P·J·马丁 ,  A·本达维德

IPC: G02F1/1337 ,  C23C14/24

CPC classification number: G02F1/133734

Abstract: 提供一种液晶光学设备的制造方法，该制造方法包括：配向膜形成步骤，在基板上形成含有硅氧化物的配向膜；以及液晶单元形成步骤，设置一对基板，所述一对基板彼此相对，其间插入有液晶，所述一对基板中的至少一个上面已形成有配向膜。在所述配向膜形成步骤中，用使用含硅的阴极的真空电弧放电产生的等离子束轰击基板的表面，其中基板以一角度倾斜地设置在等离子束的行程上。当等离子束轰击基板表面时，与形成具有柱体结构的膜的等离子束中的等离子体离子相比，以所述角度倾斜地轰击基板时的等离子束中的等离子体离子具有更高的动能或更高的通量密度。

公开(公告)号：CN101105473A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710136216.0

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫田浩克 ,  山内一浩 ,  吉村公博

IPC: G01N27/64 ,  H01J49/04

CPC classification number: H01J49/0418

Abstract: 本发明提供一种用于高效地进行离子化的质谱用分析基板。所述质谱分析用基板由基体、在该基体上形成的多孔膜、在该多孔膜上形成的无机材料膜构成，其特征为，该无机材料膜具有相对于该基体垂直形成的多个凹部，该凹部的直径在1nm以上低于1μm。

公开(公告)号：CN102918604B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180026118.6

申请日：2011-05-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈本康平 ,  高本笃史 ,  久保亘 ,  宫田浩克 ,  野间敬

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00

Abstract: 为了提供一种X射线波导，该X射线波导显示出X射线的小传播损耗；具有其相位受控的波导模式；不由于氧化而劣化；并可容易地生产，实现如下这样的X射线波导，该X射线波导包括：芯部，其用于引导材料的折射率的实部为1或更小的波长段中的X射线；和包层，其用于将所述X射线限制在所述芯部中，其中：所述芯部具有一维周期性结构，所述一维周期性结构包含折射率的实部不同的多种材料；所述多种材料包括有机材料、气体、真空和无机材料之一；并且所述芯部和所述包层被形成为使得所述芯部与所述包层之间的界面处的全反射临界角（θc_total）大于由所述一维周期性结构的周期性（θB）而导致的布拉格角。

公开(公告)号：CN103137233A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210504371.4

申请日：2012-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈本康平 ,  髙本笃史 ,  宫田浩克 ,  野间敬

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/062 ,  G21K1/06 ,  G21K2201/061

Abstract: 本发明涉及X射线波导和X射线波导系统。X射线波导包括具有弯曲部分的芯部和包层。芯部具有与引导方向垂直地周期性地排列分别具有不同的折射率实部的物质的周期性结构。芯部-包层界面处的全反射临界角比归因于周期性结构的X射线的布拉格角大，周期性结构中的物质界面处的全反射临界角比布拉格角小。满足下式： 这里，s是与引导方向垂直并与弯曲部分的曲率半径平行的方向的芯部宽度，nlow是具有最小的折射率实部的物质的折射率实部，nhigh是具有最大的折射率实部的物质的折射率实部，并且R是曲率半径。

公开(公告)号：CN103081025A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041245.3

申请日：2011-08-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈本康平 ,  高本笃史 ,  久保亘 ,  宫田浩克 ,  野间敬

IPC: G21K1/06

CPC classification number: G21K1/06 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/061

Abstract: 一种X射线波导包括：芯部（101），用于引导具有在其中材料的折射率实部小于1的波长带的X射线；以及覆层（102，103），用于将X射线限制在芯部中。芯部具有一维的周期性结构，在所述周期性结构中周期性地层叠分别由具有不同折射率实部的无机材料形成的多个层。芯部和覆层被配置为使得芯部和覆层之间的界面处的对于X射线的全反射临界角大于由所述一维的周期性结构的周期性引起的布拉格角。所述一维的周期性结构中的层之间的界面处的对于X射线的全反射临界角小于由所述一维的周期性结构的周期性引起的布拉格角。

公开(公告)号：CN101105473B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200710136216.0

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宫田浩克 ,  山内一浩 ,  吉村公博

IPC: H01J49/04

CPC classification number: H01J49/0418

Abstract: 本发明提供一种用于高效地进行离子化的质谱用分析基板。所述质谱分析用基板由基体、在该基体上形成的多孔膜、在该多孔膜上形成的无机材料膜构成，其特征为，该无机材料膜具有相对于该基体垂直形成的多个凹部，该凹部的直径在1nm以上低于1μm。

公开(公告)号：CN1084040C

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN95121796.8

申请日：1995-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 西村三千代 ,  野村一郎 ,  坂野嘉和 ,  冢本健夫 ,  宫田浩克 ,  高田一广

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J9/027 ,  H01J2201/3165

Abstract: 一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分和使电流流过所说的导电薄膜。

公开(公告)号：CN1064138C

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN94112833.4

申请日：1994-10-08

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中村胜利 ,  金子修三 ,  贵志悦朗 ,  宫田浩克 ,  柴田雅章

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/141 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/1416

Abstract: 一种液晶器件，它是通过一对基片，和设置在两基片之间呈现出至少两种稳定状态的手性近晶型液晶所构成。至少基片中的一个要经过包括正方向和大体上与正方向相反的反方向的两方向上的单轴排列处理，将液晶以排列状态放置，使得液晶提供一视在倾角θa-它是在所述两稳态之间的半角、相对于基片表面的倾角H和预倾角α，并形成近晶层，它与基片表面法线成倾斜角δ，其满足：H/2＜θa≤H和H＞α+δ。根据这种液晶器件，沿基片所不期望的液晶分子的运动可有效地得到抑制。