公开(公告)号：CN114242571A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111496268.5

申请日：2021-12-09

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司

Inventor： 张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  刘瑞 ,  朱涛 ,  桑玲 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。