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公开(公告)号：CN112841026A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110169674.4
申请日：2021-02-07
Applicant: 兰州大学
IPC: A01H1/06
Abstract: 本发明公开了一种基于紧凑型D‑D中子发生器的植物种子中子辐照剂量分配装置，该装置包括侧反射体和若干种子放置层板，所述侧反射体为一端开口的框架结构，所述种子放置层板卡接于侧反射体内，相邻两个种子放置层板和侧反射体之间的区域构成中子辐照区。中子辐照区可一次容纳数量较多的种子，且种子放置层板在竖直方向均匀地上下分布，所放置种子的中子吸收剂量呈一个均匀的梯度出现，对放置种子的每一个位置都进行编号后，可以通过蒙特卡洛模拟技术得出每一个种子所吸收的中子剂量，扩大了紧凑型D‑D中子发生器在中子辐射生物研究和辐照诱变育种中的应用范围，同时可以为中子辐射生物研究和辐照诱变育种提供依据。
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公开(公告)号：CN109831868B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910114085.9
申请日：2019-02-14
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种一体化小型氘氘中子发生器，该发生器的圆筒状陶瓷外壳内设置半球状金属头部，金属头部内设置离子源和离子源电源；金属头部的金属板与发生器底板之间设置内外两层陶瓷绝缘筒，两层陶瓷绝缘筒之间设置隔离供电系统和高压电源，内陶瓷绝缘筒内设置的引出加速电极的后端伸出发生器后与底板外设置的靶托连接，靶托内设置靶，靶位于地电位，靶托设冷却水接口。本发明中靶处于地电位，可以利用0度方向出射的氘氘快中子，降低样品和靶点的距离，提高样品面上的中子通量，冷却系统简单；且高压输出端直接与中子发生器连接，不需要对中子发生器进行馈电，提高了氘束流的能量，进一步提高了中子发生器的中子产额，一体化程度高，移动方便。
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公开(公告)号：CN110044940A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910208952.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/22
Abstract: 本发明公开了一种氘氘中子伴随氦三粒子成像装置，包括中子发生器、3He粒子位置探测器、γ能谱探测器和数据处理系统，中子发生器包括氘离子源、引出电极和氘靶；3He粒子位置探测器包括探测头和第一数据获取处理系统，探测头设置于发生器外壳中，探测头与氘靶之间设置有粒子透射窗；γ能谱探测器包括γ射线探头和第二数据获取处理系统，γ射线探头与氘靶之间放置样品，第一数据获取处理系统和第二数据获取处理系统均与数据处理系统电性连接。本发明采用氘靶，氘氘反应产生快中子和伴随3He粒子，通过伴随3He粒子成像可获得被检测样品的元素成分和分布信息，且氘靶无放射性，制备简单，便于运输，价格低廉，大大降低了伴随粒子成像设备的运行和维护成本。
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公开(公告)号：CN109164479A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811021295.5
申请日：2018-09-03
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于裂变碎片物理测量的双屏栅气体探测器，该探测器包括两端开口、内部中空的筒体，该筒体两端开口分别通过上底板、下底板对接封口，所述筒体侧壁上设有电离气体进气口、出气口，且在上底板至下底板方向上，所述筒体内依次设有第一阳极板、第一栅极圈、阴极板、第二栅极圈、第二阳极板；所述阴极板中心处设为用于盛放待裂变的阴极靶材料位置，该位置与所述上底板上所设的中子入射窗正对。本发明探测器避免了传统测量技术化学处理和分步测量带来的误差，具有耐辐射损伤、可测量初始裂变碎片信息等优点，探测器分辨率将小于1原子质量单位，能够更为准确、完整地测量裂变碎片的质量分布信息和裂变碎片的动能分布信息。
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公开(公告)号：CN105407621B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D‑D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D‑D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过“O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s‑1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107422363A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710741913.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种用于植物种子中子辐照的252Cf源剂量分配辐照装置，主要包括圆筒形屏蔽体、空气通道、252Cf中子源和样品辐照区，252Cf中子源中子产额高符合中子辐照植物种子的要求，同时以252Cf中子源为球心，设置三个半径依次增大的半球区域作为样品辐照区。本发明能够按梯度辐照出任何中子吸收剂量的种子，且每梯度种子的吸收剂量具有很好的均匀性，所设三个252Cf中子源剂量分配半球区域的植物种子吸收剂量不用经过繁琐的测量和计算而直接给出，具有标准化剂量分配的特点，达到了豆类植物种子中子辐照的大部分科学研究的需要，也可应用于其它种类植物种子的辐照，还可以用于中子辐射农业生产和诱变育种。
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公开(公告)号：CN106287604A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610859607.4
申请日：2016-09-28
Applicant: 兰州大学
IPC: F21V23/00 , A01G7/04 , F21Y115/10 , F21Y107/50
CPC classification number: Y02P60/149 , F21V23/003 , A01G7/045
Abstract: 本发明公开了一种用于植物培育的光源照射装置，包括回形LED组合光源和设置在回形LED组合光源正下方的八边形辐照区，所述回形LED组合光源包括光源面板，所述光源面板上设有多层方形LED灯圈且各层方形LED灯圈均分别由四根LED灯条组成，所述多层方形LED灯圈与驱动电路相连，所述八边形辐照区的边界位于最外层方形LED灯圈垂直投影边界内。本发明的发光光谱能较好地符合植物生长所需的光谱范围，其光照强度较目前普遍使用的温室光源都强，完全能够达到中性植物生长所需的光照强度，同时采用边缘补光密集设计和内层均匀设计，在保证光源光照强度的情况下能够很好的提高光照均匀度，可以用到进行光照植物的科学实验和生产实践中。
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公开(公告)号：CN106057614A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610658654.2
申请日：2016-08-12
Applicant: 兰州大学
IPC: H01J27/04
CPC classification number: H01J27/04
Abstract: 本发明公开了一种冷阴极潘宁离子源，该冷阴极潘宁离子源阳极采用隐藏式固定结构，对阴极靠近放电室的表面采用凹形结构，阴极引出采用上下圆锥形结构；阳极上的电压通过阳极接线柱馈入，阴极板、中间电极外套、连接法兰、对阴极焊接法兰均接地，并通过陶瓷法兰和绝缘法兰保持与阳极的绝缘。本发明提高引出束流强度的同时，大大延长了离子源的使用寿命，降低了使用成本。可以引出1~5 mA的D束流，使用寿命大于500小时；所有部件均采用可拆卸式结构，可方便更换易损部件的同时，给其参数的优化留下了很大的空间，提高了整体的经济效益。
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公开(公告)号：CN105407621A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510775032.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 兰州大学
IPC: H05H3/06
CPC classification number: H05H3/06
Abstract: 本发明公开一种适用于中子活化分析或中子照相的紧凑型D-D发生器。本发明包括：真空腔体、离子源系统、束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统及真空泵系统，其中由离子源产生的离子束流被引出、加速并与靶系统上的氘靶发生D-D聚变核反应放出中子，其真空腔体的两端分别用离子源阳极法兰和第二法兰与离子源系统和束流引出加速系统、靶系统、高压馈入系统实现联接，真空腔体与离子源阳极法兰和高压馈入系统法兰间通过 “O”型圈实现密封，所述的离子源为双等离子源，其内通有D气体。本发明中子产额可大于1×108 s-1量级，并可以很方便地更换离子源或靶片等系统及其它的内设部件，同时大大降低了使用的成本。
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公开(公告)号：CN119882012A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510185561.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本申请公开了一种韧致辐射X射线的能谱测量装置及方法，涉及射线探测与测量领域，该装置包括：准直器、屏蔽体、多层吸收测量组件及处理器；所述准直器的内部开设有X射线准直孔道；所述屏蔽体与所述准直器同轴安装；所述屏蔽体内开设有安装孔道；所述多层吸收测量组件设置在所述屏蔽体的安装孔道中；所述多层吸收测量组件包括依次间隔设置的多个吸收片及多个Si剂量片；电子束韧致辐X射线经所述准直器的X射线准直孔道后，在所述屏蔽体的安装孔道内对所述多层吸收测量组件进行X射线辐照；所述处理器用于根据每个Si剂量片的X射线吸收剂量确定电子束韧致辐X射线的能谱数据。本申请实现了电子束韧致辐射MeV宽能区X射线能谱的测量。
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