公开(公告)号：CN115132714A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202111486438.1

申请日：2021-12-07

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 篠原悠贵 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  古田裕典 ,  小酒达 ,  中井佑亮 ,  十文字伸哉 ,  松尾元一郎 ,  石川琢磨 ,  高桥千优 ,  川田宽人

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。