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公开(公告)号：CN116137308A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211372810.0
申请日：2022-11-03
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体和复合膜的制造方法，能够提高复合膜的生产性。在电子结构体(1)中，利用无机材料构成形成基板(10)和支承层(11)，另一方面，利用有机材料构成复合膜(2)的基底膜(12)和覆盖层(17)，将支承层(11)的外形形成得比基底膜(12)的外形小。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜背面(2B)与支承层正面(11A)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离和向布线基板(90)的安装。
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公开(公告)号：CN114512502A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111208125.X
申请日：2021-10-18
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
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公开(公告)号：CN117954536A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311043042.9
申请日：2023-08-17
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/304
Abstract: 半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板，其目的在于减小在研磨时施加给半导体层的负荷。半导体元件的制造方法具有以下步骤：形成步骤，在蓝宝石基板(11)上形成多个岛，该多个岛分别包含含有氮化物半导体的半导体层(12)和形成于该半导体层(12)上的支承体(13)；接合步骤，将支承体(13)隔着粘接部件(14)与保持基板(15)接合；剥离步骤，对半导体层(12)照射激光，将半导体层(12)从蓝宝石基板(11)剥离；以及研磨步骤，对半导体层(12)的从蓝宝石基板(11)分离的表面(12s)进行研磨。
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公开(公告)号：CN117954535A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311036694.X
申请日：2023-08-17
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/304
Abstract: 半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板。在研磨步骤中，能够准确地控制半导体层的精加工厚度。半导体元件的制造方法具有以下步骤：在蓝宝石基板(11)上形成具有蓝宝石基板侧的第1面(12s)及其相反侧的第2面(12t)的多个半导体层(12)的步骤；接合步骤，将多个半导体层的第2面隔着粘接部件(14)与保持部件(15)接合；剥离步骤，对多个半导体层的第1面照射激光，将多个半导体层从蓝宝石基剥离；以及研磨步骤，对多个半导体层的第1面进行研磨。多个半导体层中的至少1个半导体层具有从第2面朝向第1面延伸的研磨用标记部(12h)。在研磨步骤中进行研磨，直到研磨用标记部在研磨面露出为止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263274A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311477977.8
申请日：2023-11-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置，能够提高发光特性。LED显示器装置(1)在LED显示器显示部(2)中依次层叠蓝色的发光元件(21B)、绿色的发光元件(21G)以及红色的发光元件(21R)，并且在各像素部(8)中将红色的发光区域(24R)形成得比蓝色的发光区域(24B)和绿色的发光区域(24G)大。因此，LED显示器装置(1)能够在使像素部(8)极小的同时，将从发光面(8S)放射的红色光的光量提高到不逊色于蓝色和绿色的程度。由此，LED显示器装置(1)在LED显示器显示部(2)的各像素部(8)中对于蓝色、绿色以及红色的任意一个均能够得到充分的亮度，作为显示区域(2A)整体能够显示高精细且高品质的图像。
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公开(公告)号：CN115132714A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111486438.1
申请日：2021-12-07
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: 半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
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公开(公告)号：CN118712287A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410023039.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 电子结构体及其制造方法和电子器件的制造方法，使包含功能部的转印的工艺变得容易。电子结构体(1)的制造方法具有如下步骤：使用具有基板(10)、形成在基板(10)上的第1牺牲层(11)以及形成在第1牺牲层(11)上的功能部(12)的层叠基板，形成从基板(10)延伸到功能部(12)的第2牺牲层(13)；形成从基板(10)延伸到第2牺牲层(13)的被覆层(14)；以及去除第1牺牲层(11)和第2牺牲层(13)。
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公开(公告)号：CN115835732A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210950578.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 冲电气工业株式会社
IPC: H10K59/50
Abstract: 半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。
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公开(公告)号：CN115732530A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210942482.7
申请日：2022-08-08
Applicant: 冲电气工业株式会社
Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
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