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公开(公告)号：CN115621232A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211405492.3
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块。功率半导体器件封装结构包括：第一压接电极模块、功率芯片、第二压接电极模块、衬板和弹性电极；衬板设置于第一电极一侧表面，绝缘板与功率芯片位于第一电极相同一侧表面；芯片第二电极和芯片第三电极分别电性连接至不同的衬板；弹性电极一端适于弹性连接衬板中的一个，另一端连接器件第二电极或器件第三电极；弹性电极适于沿第二压接电极模块向第一压接电极模块的方向弹性伸缩；第一压接电极模块和第二压接电极模块适于通过施加外力相向运动，通过弹性电极的弹性形变实现与功率芯片的电性导通。
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