采用电控方法实现平顶陡边的解复用接收器

    公开(公告)号:CN101958753A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910160632.3

    申请日:2009-07-17

    Abstract: 本发明属于光电技术领域,具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器,包括:至少两个光探测器,所述光探测器信道相邻且具有滤波性能;信号处理单元,所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较,以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器,同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。

    纳米波导结构半导体光探测器制备方法

    公开(公告)号:CN101958362A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910160633.8

    申请日:2009-07-17

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法,包括以下步骤:在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料,依次生长缓冲层,底部谐振腔反射镜,下隔离层,探测器吸收层,上隔离层,顶部谐振腔反射镜;在光探测器顶部欲作为反射镜的薄膜上实现具有特定几何图样的有限周期数目纳米波导结构;去除没有进行保护的区域,直到露出欧姆接触层表面;在欧姆接触层表面蒸发多层金属合金,同步完成垂直腔型光探测器的欧姆接触层;进行光探测器的隔离和介质钝化以及开孔互连,得到所需光探测器。其可作为光探测器谐振腔的宽带高反射率反射镜、偏振控制器或自聚焦透镜,解决工作在光通信用长波长波段的半导体光探测器中磷化铟基材料的制约。

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