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公开(公告)号：CN117855860A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410051768.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种挖洞人工磁导体及半波偶极子天线，属于天线领域，按照不同挖洞孔径大小实现对人工磁导体阵列的非周期排列，通过改变人工磁导体的衬底结构，提升人工磁导体的同相反射带宽，并且利用人工磁导体单元的孔径大小对反射相位的影响设计非周期的人工磁导体阵列，提升天线的增益和带宽，与传统的半波偶极子天线以及加载周期结构的普通人工磁导体偶极子天线相比，本非周期性挖洞人工磁导体半波偶极子天线带宽更宽，增益更大。
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公开(公告)号：CN113284790B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110448871.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种抑制反相畴与穿透位错生成的硅基III‑V族材料外延方法。该方法包括：A)硅衬底清洗：采用强氧化性的化学试剂或等离子体对硅衬底进行清洗，强化硅衬底表面奇数原子台阶处和偶数原子台阶处化学性质的差异；B)硅衬底热处理：在低于常规温度或在常规温度下对步骤A)清洗后的硅衬底实施热处理；C)硅衬底上外延生长：在经步骤B)热处理后的硅衬底上进行III‑V族材料外延生长。本发明提供的方法能够抑制硅基III‑V族材料外延中反相畴与穿透位错生成，具有操作简便、实用性高的特点。
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公开(公告)号：CN115084291A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210519181.3
申请日：2022-05-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种倒置型光探测器及制备方法，包括自下而上的P型衬底层、P型接触层、掺杂吸收层、本征吸收层、过渡层、N型收集层、N型接触层，其中，所述掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。本发明提供的倒置型光探测器及制备方法，掺杂吸收层的掺杂浓度沿着自横向中心至横向边缘的方向阶梯式降低。该横向掺杂分布使得光探测器台面边缘的耗尽区域比光敏面中心的耗尽区域长，可以实现光生载流子的同步输运，缓解了限制高速响应的问题。
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公开(公告)号：CN114036816A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111574701.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F30/25 , G06N3/12 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种光栅设计方法、光栅及探测器集成结构，其中方法包括：获取设计参数；将所述设计参数输入至光栅设计模型，获取所述光栅设计模型输出的光栅结构，其中，所述光栅设计模型是基于台阶式粒子群算法构建的。本发明提供一种亚波长光栅，采用上述光栅设计方法得到。本发明提供一种探测器集成结构，包括探测器和光栅，所述探测器和所述光栅单片集成，所述光栅是上述光栅设计方法得到的。本发明提供的光栅设计方法基于台阶式粒子群算法，通过电场场强调节对光栅结构进行设计，实现了对具有汇聚增强功能的非周期亚波长光栅进行设计。本发明提供的亚波长光栅具有汇聚增强功能。
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公开(公告)号：CN110544732B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910807033.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107703624B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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公开(公告)号：CN106876418B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN108418095B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN107703624A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710791448.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，提供了一种基于非周期亚波长光栅和分布布拉格反射镜的谐振腔，具有可以控制谐振腔内驻波光场的分布的特性。所述谐振腔的结构自下而上为：分布布拉格反射镜、谐振腔、非周期亚波长光栅反射镜。平面入射光通过谐振腔到达非周期亚波长光栅反射镜，实现偏向谐振腔中心的斜反射，斜反射在谐振腔内多次振荡耦合，形成光场能量集中于腔中部的稳定驻波场，驻波场宽度由非周期亚波长光栅结构决定，从而通过改变非周期亚波长光栅结构实现了对谐振腔内驻波场宽度的控制。本发明解决了传统谐振腔不能控制驻波场宽度的问题，能够广泛应用于光通信及光学系统领域。
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公开(公告)号：CN105448675B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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