公开(公告)号：CN104393562A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410649662.1

申请日：2014-11-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚

IPC: H02H3/20 ,  H02H3/32

Abstract: 本发明公开了过压与漏电综合保护断路器，包括断路开关、第一过压保护组件、第二过压保护组件、零序电流互感器、电磁继电器、脱扣联动机构和漏电保护触发电路；第一过压保护组件包括位于包封层内的压敏电阻片和PTC热敏电阻片，并有三个引出端；第二过压保护组件包括位于包封层内的压敏电阻片和PTC热敏电阻片，并有两个引出端；当所述断路开关为单相电源开关时，只需安装一个第一过压保护组件，当所述断路开关为三相电源开关时，需安装一个第一过压保护组件和两个第二过压保护组件，发生漏电或者三相电源中任一相发生过电压，断路开关都可及时跳闸。本发明具有过电压与漏电综合保护功能，安全性与可靠性大大高于现有的漏电断路器。

公开(公告)号：CN104195642A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410412805.7

申请日：2014-08-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  金无量 ,  卢振亚

IPC: C30B29/22 ,  C30B7/10 ,  C01G49/00

CPC classification number: Y02P20/124

Abstract: 本发明公开了一种制备单晶BiFeO3纳米片的方法，包括以下步骤：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶解于硝酸溶液中配成母盐溶液；将CTAB溶解于有机溶剂，配制两组CTAB溶液；将母盐溶液滴加到一组CTAB溶液中，搅拌得溶液A；将KOH溶液滴加到另一组CTAB溶液中，搅拌得溶液B；将溶液B滴加到溶液A中，搅拌后得水热反应前驱物；将水热反应前驱物、溶剂放入水热釜中；密封水热釜，于140～160℃烘箱内反应12～24h，过滤得沉淀物；沉淀物经洗涤，干燥后得单晶BiFeO3纳米片。本发明能在低温下合成纯相单晶BiFeO3纳米片，节省能源，产物结晶度高，工艺容易控制，所需设备简单。

公开(公告)号：CN103525014A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310530647.0

申请日：2013-10-31

Applicant: 华南理工大学 ,  扬州拓声电子科技有限公司

Inventor： 王歆 ,  刘继红 ,  夏亚飞 ,  卢振亚 ,  任媛 ,  郑良辉

IPC: C08L63/02 ,  C08K9/10 ,  C08K9/06 ,  C08K9/04 ,  C08K9/02 ,  C08K3/24 ,  C08K3/04 ,  H01G4/00 ,  H01G4/06

Abstract: 一种三相复合高介电性能材料、制备方法及加工方法。本发明的三相复合高介电性能材料：包括表面活化钛酸钡、包硅炭黑和环氧树脂。按以下步骤进行制备：1）钛酸钡预加工；2）炭黑预加工；3）粉状表面氧化炭黑再加工；4）环氧树脂预处理；5）取表面活化钛酸钡和包硅炭黑加入环氧树脂丁酮溶液中。按以下步骤进行操作：1）材料预处理；2）固化剂预处理；3）铜箔预处理；4）涂覆面；5）固化。本发明在控制介电损耗前提下，利用导电颗粒替代部分铁电陶瓷制备了一种能够有效提高聚合物基复合材料的介电常数的导体/陶瓷/聚合物三相复合介质材料，同时有效地解决了炭黑在聚合物中分散困难和炭黑含量上升后易形成导电通路增大介质损耗的问题。

公开(公告)号：CN101714607B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910192539.0

申请日：2009-09-22

Applicant: 华南理工大学 ,  广州凯立达电子有限公司

Inventor： 卢振亚 ,  陈文姬 ,  朱惠祥

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/047 ,  H01L41/18 ,  H01L41/24

Abstract: 本发明公开了金属铝电极压电陶瓷元件及其制备方法，该金属铝电极压电陶瓷元件包括PZT陶瓷和在PZT陶瓷上下表面烧结的金属电极；金属电极至少有一个是铝电极面；铝电极面采用铝电极浆料在PZT陶瓷上烧结形成，以质量百分比计，所述铝电极浆料原料配方为55～60％的金属铝粉，12～15％的低熔点无铅玻璃粉，14～18％的乙基纤维素粘合剂，1.0％抗氧化助剂，余量为有机溶剂。其制备方法包括铝电极浆料配制、在PZT陶瓷表面印刷铝电极浆料、烧结和电场极化。本发明通过调节铝电极浆料中的无机粘结剂的化学成分和比例，提高铝电极面与PZT压电陶瓷间的结合强度。采用铝电极代替银电极可以大大降低压电陶瓷元件的制造成本。

公开(公告)号：CN1271653C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410027743.4

申请日：2004-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  陈志武

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622 ,  C04B35/462 ,  C04B35/48 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明涉及一种片式电容器用介质陶瓷材料的制备方法，包括：第一步，将第三副成分各组分混合，加热至熔融后，采用水冷淬火法制成玻璃碎并用球磨法粉碎至颗粒中粒径D50≤0.6μm即制成玻璃态物料；第二步，主成分、第一副成分混合并加水球磨或搅拌均匀制成料浆，将此料浆干燥成粉料；第三步，将第二步干燥得到的粉料在空气中1100～1250℃煅烧，保温0.5～5小时，加水球磨至颗粒中粒径D50≤0.7μm，干燥后获得主料；第四步，将上述主料、第二副成分、第一步得到的玻璃态物料混合均匀即得到特别适合制作贱金属电极多层片式电容器用介质陶瓷材料；其介电系数高，介电系数温度特性符合EIA标准规定的X7R特性要求，晶粒细小，适合制造介质膜厚度小于8μm的片式电容器。

公开(公告)号：CN1179370C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN02134433.7

申请日：2002-07-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚

IPC: H01C7/115

Abstract: 本发明提供一种钛酸钡基电压非线性电阻，由钛酸钡为主成分的陶瓷材料烧附银电极构成；其陶瓷材料的主成分表达式：(Ba1-xSrx)mTiO3，其中X＝0～0.2、m＝0.96～1.00；一种制备上述钛酸钡基电压非线性电阻的方法，包括步骤：(1)合成材料主成分(Ba1-xSrx)mTiO3，其中X＝0～0.2、m＝0.96～1.00；(2)在主成分中加入按比例称量的添加剂后加水混合球磨制成料浆；(3)在料浆加入聚乙烯醇溶液后干燥造粒；(4)造粒粉料经干压成型制成坯片；(5)将坯片在还原性气氛中烧结成半导性瓷片；(6)将半导性瓷片在900～1100℃的空气气氛中热处理；(7)上电极。本发明制作的电压非线性电阻电容量大、烧结温度低，生产工艺简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN1397959A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02134433.7

申请日：2002-07-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚

IPC: H01C7/115

Abstract: 本发明提供一种钛酸钡基电压非线性电阻，由钛酸钡为主成分的陶瓷材料烧附银电极构成；其陶瓷材料的主成分表达式：(Ba1－xSrx)mTiO3，其中X＝0～0.2、m＝0.96～1.00；一种制备上述钛酸钡基电压非线性电阻的方法，包括步骤：(1)合成材料主成分(Ba1－xSrx)mTiO3，其中X＝0～0.2、m＝0.96～1.00；(2)在主成分中加入按比例称量的添加剂后加水混合球磨制成料浆；(3)在料浆加入聚乙烯醇溶液后干燥造粒；(4)造粒粉料经干压成型制成坯片；(5)将坯片在还原性气氛中烧结成半导性瓷片；(6)将半导性瓷片在900～1100℃的空气气氛中热处理；(7)上电极。本发明制作的电压非线性电阻电容量大、烧结温度低，生产工艺简单，制造成本低。

公开(公告)号：CN116655367B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310361976.0

申请日：2023-04-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 卢振亚 ,  胡铎 ,  贾智

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料领域，具体涉及一种负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的成分包括0.69(Bi1‑xMgx)FeO3‑0.31BaTiO3，其中x＝0.1％～5.0％。陶瓷材料的配方原料包括含有以下元素的氧化物、无机盐或有机盐：Bi、Fe、Ba、Ti、Mg金属元素；例如包括Bi2O3、Fe2O3、BaCO3、TiO2及MgO粉末。本发明的宽温区高温热敏电阻材料具有良好的致密性，同时具有优秀的热敏性能，在0～700℃范围内具有明显的负温度系数特性，适合制备宽温区高温热敏电阻器。

公开(公告)号：CN117144294B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311411588.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 华南理工大学 ,  广州天极电子科技股份有限公司

Inventor： 丁明建 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  冯毅龙

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。

公开(公告)号：CN117294269A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311587411.0

申请日：2023-11-27

Applicant: 华南理工大学 ,  广州天极电子科技股份有限公司

Inventor： 丁明建 ,  卢振亚 ,  吕明 ,  冯毅龙

IPC: H03H1/00

Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。