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公开(公告)号：CN117294269B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN117144294B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN117294269A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN113674994B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN113674994A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111112404.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113834859A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111113271.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。
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公开(公告)号：CN117144294A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
Applicant: 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
Abstract: 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN111908914B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010685817.2
申请日：2020-07-16
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司 , 华南理工大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。
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公开(公告)号：CN117470897A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311311490.2
申请日：2023-10-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种测量无机混合物的完全熔融温度的方法，包括以下步骤：1)将无机混合物压制成圆柱体；2)将步骤1)得到的圆柱体竖立在基片上，放入高温光学热膨胀仪中进行加热熔化，得到熔体在不同温度下的投影图像，再根据投影图像得到熔体的接触角θ和对应的温度T以及得到接触角θ与温度T的关系曲线，再进行数学变换得到接触角余弦cosθ与温度T的二阶导数曲线，曲线上纵坐标趋近于0的点对应的温度即为无机混合物的完全熔化温度。本发明的测量无机混合物的完全熔融温度的方法具有准确性高、适应性好、重复性好、操作简单、可以连续测量等优点，对于无机材料的生产和研发具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114644519B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210185951.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/47
Abstract: 本发明公开了一种介电陶瓷材料及其制备方法。本发明的所述介电陶瓷材料的化学通式为Sr(Nb2/3Mg1/3)xTi1‑xO3，其中0.05＜x＜0.8，主晶相为SrTiO3，且Nb和Mg是以B位掺杂的形式进入主晶相中的。该材料的制备方法包括：1)将锶前驱体、钛前驱体、铌前驱体和镁前驱体球磨混合，再进行煅烧，制得介电材料；2)将介电材料和粘结剂混合后进行造粒，得到介电颗粒材料；3)将介电颗粒材料加入模具后压制成坯体；4)将坯体进行预烧结、烧结，制得介电陶瓷材料。本发明的介质陶瓷材料具有晶粒小、稳定性好、Qf值较高和介电常数较低等优势，且制备简单、可控，适合推广与应用。
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