公开(公告)号：CN118147578A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311827538.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 肖舒 ,  吴熠 ,  刘健诚 ,  黄勇 ,  范舒瑜

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN114883164A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210417735.9

申请日：2022-04-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 肖舒 ,  李文举 ,  吴熠

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/21 ,  H01J37/147 ,  C23C14/48

Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。