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公开(公告)号：CN117265480B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311432105.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种低粗糙度氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤S10，将经过气体离子源轰击清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入第一镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积形成非晶态氧化铝过渡层；步骤S11，将含有非晶态氧化铝过渡层的高纯烧结氧化铝基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度；步骤S12，将冷却后的高纯烧结氧化铝基体传输至第二镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在非晶态氧化铝过渡层的表面沉积形成氧化钇涂层。本发明通过在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积非晶态氧化铝过渡层，以降低高纯烧结氧化铝基体的表面粗糙度，使得后续沉积的氧化钇涂层的表面粗糙度降低，从而提高氧化钇涂层的耐等离子体刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN113150565B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110447141.8
申请日：2021-04-25
IPC: C08L91/06 , C08L53/02 , C08L29/04 , C08K3/38 , H01M10/613 , H01M10/617 , H01M10/653 , H01M10/6554 , H01M10/659
Abstract: 本发明公开了一种柔性导热绝缘粘性相变散热片及其制备方法与电池热管理系统；所述相变散热片按质量百分比计，包括以下组分：65～75％石蜡，10～20％聚苯乙烯‑聚乙烯‑聚丁烯‑聚苯乙烯，10～20％氮化硼，1～3％聚乙烯醇。本发明使用弹性塑料为相变材料提供柔性支撑基材，采用椭圆/圆形层叠片状氮化硼作为传热填料，从而使得最终制备得到的复合材料具有优异的导热性能和电绝缘性能。且制备出的薄片具有柔性，可广泛应用于圆柱电池、长方体硬壳电池、软包电池等不同形状锂电池的热管理，制备方法简单、使用方便。
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公开(公告)号：CN113463052A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110756278.1
申请日：2021-07-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种超声清洁高效散热型磁控溅射阴极，包括安装组件，以及设于安装组件上的屏蔽罩，屏蔽罩内由上至下依序安装靶材组件、超声清洁冷却组件、磁性组件以及磁短路组件；超声清洁冷却组件包括冷却元件和导热元件，以及设于冷却元件外侧壁上的多个超声振子；冷却元件的顶部内凹形成供冷却介质通过的冷却流道，导热元件的底部设有多个外凸且延伸至冷却流道中的导热柱。本发明通过导热元件将靶材组件的热量快速导出至导热柱中，冷却流道中的冷却介质迅速与导热柱中的热量进行热交换，从而提高散热效果，此外，可以通过超声振子对冷却流道中产生的水垢及靶材表面的颗粒物进行自动清洁，从而提高冷却效率、减少靶材打火，提高沉积涂层速率及质量。
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公开(公告)号：CN117265480A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311432105.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种低粗糙度氧化钇涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤S10，将经过气体离子源轰击清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入第一镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积形成非晶态氧化铝过渡层；步骤S11，将含有非晶态氧化铝过渡层的高纯烧结氧化铝基体传输至冷却室内，进行静置冷却至预设温度；步骤S12，将冷却后的高纯烧结氧化铝基体传输至第二镀膜工艺腔室内，采用中频磁控溅射方式在非晶态氧化铝过渡层的表面沉积形成氧化钇涂层。本发明通过在高纯烧结氧化铝基体的表面沉积非晶态氧化铝过渡层，以降低高纯烧结氧化铝基体的表面粗糙度，使得后续沉积的氧化钇涂层的表面粗糙度降低，从而提高氧化钇涂层的耐等离子体刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN113150565A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110447141.8
申请日：2021-04-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C08L91/06 , C08L53/02 , C08L29/04 , C08K3/38 , H01M10/613 , H01M10/617 , H01M10/653 , H01M10/6554 , H01M10/659
Abstract: 本发明公开了一种柔性导热绝缘粘性相变散热片及其制备方法与电池热管理系统；所述相变散热片按质量百分比计，包括以下组分：65～75％石蜡，10～20％聚苯乙烯‑聚乙烯‑聚丁烯‑聚苯乙烯，10～20％氮化硼，1～3％聚乙烯醇。本发明使用弹性塑料为相变材料提供柔性支撑基材，采用椭圆/圆形层叠片状氮化硼作为传热填料，从而使得最终制备得到的复合材料具有优异的导热性能和电绝缘性能。且制备出的薄片具有柔性，可广泛应用于圆柱电池、长方体硬壳电池、软包电池等不同形状锂电池的热管理，制备方法简单、使用方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113463052B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110756278.1
申请日：2021-07-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种超声清洁高效散热型磁控溅射阴极，包括安装组件，以及设于安装组件上的屏蔽罩，屏蔽罩内由上至下依序安装靶材组件、超声清洁冷却组件、磁性组件以及磁短路组件；超声清洁冷却组件包括冷却元件和导热元件，以及设于冷却元件外侧壁上的多个超声振子；冷却元件的顶部内凹形成供冷却介质通过的冷却流道，导热元件的底部设有多个外凸且延伸至冷却流道中的导热柱。本发明通过导热元件将靶材组件的热量快速导出至导热柱中，冷却流道中的冷却介质迅速与导热柱中的热量进行热交换，从而提高散热效果，此外，可以通过超声振子对冷却流道中产生的水垢及靶材表面的颗粒物进行自动清洁，从而提高冷却效率、减少靶材打火，提高沉积涂层速率及质量。
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公开(公告)号：CN119082684B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN119082684A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411206382.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
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公开(公告)号：CN118147578B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311827538.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种含有不同择优取向的氮化铝涂层及制备方法，该制备方法包括以下步骤：将等离子体清洗后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在基材的表面上沉积第一择优取向氮化铝涂层；将沉积后的基材送入静放室中，进行冷却至预设温度；将冷却后的基材送入抽真空的过渡腔室内，采用气体离子源轰击第一择优取向氮化铝涂层，以在第一择优取向氮化铝涂层沉积形成非晶氮化铝过渡层；将非晶化后的基材送入反应腔中，采用磁控溅射方式在非晶氮化铝过渡层的表面沉积形成第二择优取向氮化铝涂层。本发明通过采用离子源轰击技术将不同择优取向的氮化铝涂层复合在同一基材上，替换单一的氧化铝涂层，实现性能的复合，以提高CVD Mask的力学性能、绝缘阻隔性和耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN114883164B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210417735.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01J37/317 , H01J37/21 , H01J37/147 , C23C14/48
Abstract: 本发明公开了一种基于过滤弧源的离子注入沉积装置及沉积方法。所述装置包括磁聚集单元、磁偏转单元、离子加速栅网和离子引出栅网，所述磁聚集单元对弧源释放的所有带电粒子起聚集作用，同时可阻挡弧源释放的部分大颗粒，所述磁偏转单元对大颗粒物质起阻挡作用，所述离子加速栅网设于磁偏转单元后方，对带正电离子起加速作用，所述离子引出栅网设于离子加速栅后方、待镀工件前方，对电子起阻挡作用，解决了传统弧源金属“大颗粒”降低涂层质量的问题，同时引出、离子加速栅网在基片前，解决了绝缘基体加偏压难的问题。本装置可作为各种传统弧源的离子注入优化装置，对传统弧源进行改造，同时该装置适用性较广。
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