一种稀土掺杂的合金氧化物发光涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN104480438B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201410843645.1

    申请日:2014-12-31

    Abstract: 一种稀土掺杂的合金氧化物发光涂层及其制备方法,涉及材料工程领域,发光涂层的涂层元素与基体元素之间形成互扩散的氧化物冶金层,形成涂层与基体之间的无明显的界面效应,该冶金层中各元素含量从表面至基体呈梯度分布。该稀土掺杂的合金氧化物发光涂层的制备方法,分为三个阶段:预处理阶段;合金和稀土共渗处理阶段;等离子氧化处理阶段。本发明利用稀土与金属在氧气环境下的共渗制备出一种在金属表面稀土氧化物与基质氧化物含量分别呈梯度分布的具有发光特性的稀土掺杂合金氧化物涂层,使得涂层与基体之间的结合牢固,因此该发明能大大提高生产效率,减少投资,降低生产成本,并能取得较好的经济效益。

    一种低熔点Sn‑Zn‑Bi‑Mg系无铅焊料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106825979A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710004538.3

    申请日:2017-01-04

    Abstract: 本发明提供一种低熔点Sn‑Zn‑Bi‑Mg系无铅焊料及其制备方法。所述焊料,其合金成分包括低含量的锌、铋、镁等微量元素,余量为锡。所述制备方法包括以下步骤:1)将锌、铋、镁和锡原料真空封装,真空度在5Pa以下,然后冲入氩气;2)将上述封装好的锌、铋、镁和锡原料放入反应炉中熔炼热处理,热处理温度为400~600℃,保温时间至少24h以上,冰水淬火,再真空封装后在100~150℃下退火,即得到Sn‑Zn‑Bi‑Mg系无铅焊料。与含有贵金属Ag、Cu的SnAgCu系无铅焊接材料相比,本发明研制的焊料成本低廉,熔点低等优点。

    一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106756835A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611253178.2

    申请日:2016-12-30

    CPC classification number: C23C14/34 C23C14/0605

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯透明电极薄膜的制备方法,以氧化还原石墨片为石墨烯溅射的靶材元素,借助双阴极辉光等离子放电作用在不同基体表面溅射沉积石墨烯薄膜的方法。本发明中石墨烯在溅射成膜过程中由于两个阴极的等离子同时产生作用,增强了体系的辉光放电成膜效率。因此,所得石墨烯薄膜质量较好,性能较为稳定。本发明对基体的材料及形状具有较大的选择性,可以在不同形状及不同材料的基体上制备石墨烯薄膜,所制备的石墨烯薄膜较为均匀,而且可以大面积量制备。

    一种双稀土元素掺杂的氧化锆发光粉

    公开(公告)号:CN104946253B

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201510378382.6

    申请日:2015-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种双稀土元素掺杂的氧化锆发光粉,通过在钇稳定的二氧化锆基础上掺杂其他稀土元素,通过调控溶液的pH值获得粒径细小均匀的,且具有较高发光强度的材料。本发明氧化锆发光粉的合成过程简单、成本低廉、成品发光效率高,且烧结温度保持在800℃以下即可获得稳定的单一相结构,最终产品发光强度高,非常便于工业化生产。

    一种石墨烯/氧化物复合光学薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106939405B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201710176713.7

    申请日:2017-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/氧化物复合光学薄膜的制备方法。是一种在石英片上利用双层辉光等离子物理溅射沉积技术通过两步法实现石墨烯/氧化物复合光学薄膜的制备。具体是将石英片丙酮清洗,高压氮气烘干处理;高纯低熔点和高熔点金属靶作为氧化物的金属元素溅射源,用丙酮进行清洗,同时通入一定比例的氩气和氧气作为金属氧化物的合成气氛条件;将预处理好的基片和靶材样品放入双层辉光等离子溅射腔室内,采用两步法工艺实现氧化物薄膜的制备。

    一种氧化物透明电极薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106756792B

    公开(公告)日:2019-01-01

    申请号:CN201611253177.8

    申请日:2016-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物透明电极薄膜的制备方法,在石英片上利用双层辉光等离子溅射反应成膜的方法实现低熔点氧化锌透明电极薄膜的制备。本发明以低熔点金属元素为靶材,为了提高元素及氧元素反应的供应量和供应效率,在基片和靶材周围形成双层辉光等离子放电,成膜仅需要10‑30min。本发明通过低熔点金属元素和氧元素的溅射反应形成大面积高质量的氧化物透明薄膜电极,薄膜的厚度在5‑10微米。本发明得到的薄膜表面质量高,具有高度的c轴(002)取向,在可见光波段平均透过率能够达到80%以上,并且薄膜能有效的屏蔽紫外光。该方法所制备的氧化物薄膜表面质量高、工艺可控性好、制备快速、成本低,尤其适合大面积快速制备。

Patent Agency Ranking