公开(公告)号：CN1599031A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410041436.1

申请日：2004-07-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  俞慧强 ,  陈琳 ,  谢自力 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11－20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。

公开(公告)号：CN1545130A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN200310106425.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  汪峰 ,  于英仪 ,  谢自力 ,  俞慧强 ,  李斌斌 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4－10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。