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公开(公告)号：CN118099206A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410482373.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。
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公开(公告)号：CN117276335A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311541154.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有解耦合反向导通能力的增强型GaN HEMT及其制作方法，在该晶体管栅极区域，p型氮化镓层上分段分布有第一栅区域金属和第二栅区域金属，其中第一栅区域金属由第一肖特基金属层与第二欧姆金属层组成，第二栅区域金属仅由第二肖特基金属层组成；第一栅区域金属和第二栅区域金属之间填充有介质层，第一栅区域金属上方设有互联金属层且与源极上方的互联金属层相连，形成反向续流二极管；第二栅区域金属上方设有栅极金属层，作为该晶体管的真实栅极。本发明将晶体管的反向开启电压与栅极阈值电压解耦合，降低了反向开启电压，减小了反向导通损耗，在反向工作状态时不受栅极电压的控制，栅极漏电流低，制备简单，集成度高。
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公开(公告)号：CN117110824A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311370126.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。
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公开(公告)号：CN114628495A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210157686.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于P型帽层低膝点电压的增强型AlGaN/GaN HEMT器件及方法。其器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN中间层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上方设有电子气恢复层，电子气恢复层上刻蚀或者腐蚀出源极区域、漏极区域以及栅极区域，栅极区域位于源极区域和漏极区域之间，其中，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅区P型帽层和栅电极，栅电极位于栅区P型帽层上方。本发明在AlGaN势垒层上沉积兼容剥离工艺无刻蚀损伤的P型帽层，使栅区P型帽层和栅电极同步成型，并且在耗尽沟道电子实现增强型工作的同时，改变沟道的电场分布，促进器件膝点电压的降低。
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公开(公告)号：CN112285047A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011318763.2
申请日：2020-11-23
Applicant: 南京大学 , 南京同开环保科技有限公司
Abstract: 本发明属于光谱法水质分析检测领域，公开了一种化学需氧量与硝态氮水质监测探头及方法，所述探头包括外壳、电路主板、光学检测组件，所述电路主板和光学检测组件设置在外壳内，所述光学检测组件包括峰值波长为235±5nm的第一紫外LED、峰值波长为275±5nm的第二深紫外LED、紫外探测光电二极管A和紫外探测光电二极管B，所述第一深紫外LED、第二深紫外LED的光源的中心分别与紫外探测光电二极管A和紫外探测光电二极管B的中心透过石英片两两相对。本发明的监测装置，在硝态氮监测过程中利用双波长对有机物的干扰进行校准，可以同时实现对化学需氧量和硝态氮两种水质指标的准确有效的在线实时监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109031059B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810662970.6
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法，包括：随机选取新型碳化硅雪崩二极管阵列中两个以上的器件测试I‑V特性，得到击穿电压平均值Vb；取1.1Vb作为测试最高电压，对新型碳化硅雪崩二极管阵列中单个器件上加偏置电压，并逐渐增加偏压到测试最高电压；以电流大小分别为10‑7A和10‑6A作为击穿点和限流点，初步判断器件是否可用；在单个器件上加偏置电压，判断器件是否因高压测试而损坏。本发明减小了SiC基APD阵列测试周期，提高了测试SiC基APD击穿电压的精度，提高了阵列内器件工作的一致性，降低了测试对器件造成的损伤，提高了测试人员的安全性。
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公开(公告)号：CN105426837B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201510793478.9
申请日：2015-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 移动网络视觉雾霾检测系统，包括移动终端检测点和雾霾数据分析系统，其中移动终端检测点包含图像采集模块、交互式标定模块、摄像机成像坐标转换模块、能见度检测模块、移动终端GPRS通信模块。移动Internet是将移动互联网与雾霾检测系统的手段结合，计算出该检测点的位置和能见度信息，供各服务器进一步进行数据分析与信息处理，从原始数据中深入挖掘，提供雾霾区域分布、动态污染源监测、公众健康参考、出行诱导等具有深层价值的服务。
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公开(公告)号：CN109031059A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810662970.6
申请日：2018-06-25
Applicant: 南京大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法，包括：随机选取新型碳化硅雪崩二极管阵列中两个以上的器件测试I‑V特性，得到击穿电压平均值Vb；取1.1Vb作为测试最高电压，对新型碳化硅雪崩二极管阵列中单个器件上加偏置电压，并逐渐增加偏压到测试最高电压；以电流大小分别为10‑7A和10‑6A作为击穿点和限流点，初步判断器件是否可用；在单个器件上加偏置电压，判断器件是否因高压测试而损坏。本发明减小了SiC基APD阵列测试周期，提高了测试SiC基APD击穿电压的精度，提高了阵列内器件工作的一致性，降低了测试对器件造成的损伤，提高了测试人员的安全性。
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公开(公告)号：CN107220943A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710215087.8
申请日：2017-04-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 融合区域纹理梯度的船舶阴影去除方法，采用改进的颜色及纹理特征对船舶阴影区域进行预检测，再利用梯度填充的方法来优化确定最终的阴影位置，进而去除阴影，得到最终的去除阴影后的船舶目标。本发明有效解决了在内河河道这一特定环境下，由于水面波纹的原因造成阴影覆盖前后区域的纹理特征不变性这一假设并不总是成立，传统的阴影检测方法难以有效区分船体边界，造成颜色、纹理相似的前景和阴影区域检测相混淆的问题；提高了对内河船舶航行参数的检测精度，特别是对准确获得船舶尺寸具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119170656B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411676733.7
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10D8/60 , H01L23/552 , H10D8/01
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。
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