公开(公告)号：CN102522467A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201210000329.9

申请日：2012-01-04

Applicant: 南京大学扬州光电研究院

Inventor： 陈鹏 ,  王栾井 ,  宋雪云 ,  谭崇斌 ,  徐峰 ,  徐洲 ,  吴真龙 ,  高峰 ,  邵勇

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种蓝宝石衬底上亚微米级的图形的制备方法，属于半导体技术领域，先在蓝宝石衬底上淀积光刻胶粘附层，然后经光刻、蒸镀，再将蓝宝石衬底于丙酮中超声处理，采用去离子水冲洗干净；再采用感应耦合等离子体干法刻蚀蓝宝石衬底后放入盐酸水溶液中进行加热超声去除金属掩膜层，经去离子水冲洗，再放入稀释的氢氟酸中，或者加热的磷酸溶液中去除光刻胶粘附层；最后将衬底放入丙酮、酒精中进行超声处理，再用去离子水冲洗干净。本发明制作成本低，易操作，成品率高，可用于低位错密度、高晶体质量氮化物的外延生长，可作为生产具有更高出光效率的氮化物半导体发光二极管的衬底材料。