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公开(公告)号：CN103715071B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310617266.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L21/205 , H01L33/32
Abstract: 一种铝铟镓氮四元合金薄膜材料的MOCVD外延加工方法，属于半导体技术领域。通过金属有机物化学气相淀积MOCVD外延技术，以交替匹配生长原子层级厚度的三元合金铟镓氮（InGaN）和铝镓氮（AlGaN）材料的方法形成铝铟镓氮四元合金薄膜材料。采用以上工艺制备成的AlInGaN四元合金薄膜材料达到以下参数指标：①X射线衍射谱XRD（002）对称面的半峰高宽
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公开(公告)号：CN103022309B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210492585.4
申请日：2012-11-28
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/44
Abstract: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。
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公开(公告)号：CN102110592A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010568673.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，属于半导体技术领域，本发明先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形，再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层，然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中，进行光刻胶剥离工艺，完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求，可通过干法刻蚀技术进行表面加工。
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公开(公告)号：CN109920876A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910066111.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L31/108 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种高响应紫外探测器的制作方法，属于半导体器件制备技术领域，本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层，并控制生长掩膜沿指定晶向排列，然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面AlxGa1-xN材料，最后在AlxGa1-xN材料表面制备金属叉指结构电极形成肖特基接触，从而实现高响应紫外探测器。
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公开(公告)号：CN102169288A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010568674.3
申请日：2010-12-02
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
Abstract: 一种在蓝宝石基板上进行光刻的方法，属于半导体技术领域，先在蓝宝石衬底上制备厚度为5nm~2μm的光刻胶粘附层；再在所述光刻胶粘附层上旋涂光刻胶；然后在光刻胶上制作光刻图形。本发明中在进行光刻工艺前，在蓝宝石衬底上先制备一层氮化硅或多晶硅或二氧化硅或氮氧硅薄膜，作为光刻胶与蓝宝石衬底间的粘附层，以增强光刻胶在蓝宝石衬底的粘附性，解决因粘附性不强的原因造成的蓝宝石衬底上进行光刻工艺中出现的光刻胶易脱落或光刻图形变形的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107482092B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710615088.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1‑x‑yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1‑x‑yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。
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公开(公告)号：CN103730479A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310617852.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
Abstract: 一种多发光子区GaN基LED集成芯片，属于LED芯片结构的技术领域，包括衬底、n-GaN层、量子阱有源区、p-GaN层、电流扩展层、P电极和至少两个发光子区，相邻的发光子区之间设有相互隔离的沟槽，沟槽的底部位于衬底表面。本发明极大程度地减小互连线横跨沟槽时断路的概率，可以提高芯片内全反射光出射的概率，减少内反射损耗，从而提高光抽取效率。
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公开(公告)号：CN101777615B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010018325.4
申请日：2010-01-13
Applicant: 南京大学 , 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片，采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法，在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法，包括以下步骤：a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜；b.置于电化学池内的酸溶液中加电压，用电化学方法实现阳极氧化，使铝膜成为多孔氧化铝；c.继续加电压至60～200V，用电化学方法腐蚀GaN基片表面，在GaN层表面形成多孔结构；d.去掉表面的氧化物，得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构，使GaN-空气界面的光传播随机化，最大程度减少了界面全反射，极大地提高了光引出效率。
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公开(公告)号：CN107482092A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710615088.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/04
Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1-x-yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。
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公开(公告)号：CN103715315A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310617228.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，属于半导体照明技术领域，在衬底的GaN基材料上阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒、制备出N台阶、淀积透明绝缘层、制备出P电极和N电极，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面；在Si基板上淀积绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；将制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接。本发明的P电极既具有电极功能，又具有反射镜的功能，因此采用在透明的绝缘层上进行的P电极上蒸镀的金属面积需要做到尽量大，可使金属反射镜面积可达到芯片发光面积的90%以上。
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