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公开(公告)号：CN110790300A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911247706.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明的一种简单高效合成Cs2AgI3钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域。首先将碘化铯、碘化银按照摩尔比1:1混合后加入十二烷基硫醇进行研磨，研磨的进行的过程中，用254nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止研磨，得到的产物120～350℃下在真空烘箱中热处理3小时，将热处理后得到的白色产物-10℃～-50℃冷冻处理1h～3h后得到荧光产率提高的Cs2AgI3非铅全无机钙钛矿。本发明首次通过机械研磨实现了纯相Cs2AgI3的制备，同时本发明具有操作方便，方法简单，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN109777403A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910191514.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Cs2AgxNa1-xInCl6双层钙钛矿的制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化钠、氯化银、氯化铟按混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末；然后加入氯化铋继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Cs2AgxNa1-xInCl6双层钙钛矿。本发明首次通过机械研磨实现了Cs2AgInCl6的Na+合金化和Bi3+痕量掺杂，极大的提高了其荧光产率；同时本发明具有操作简单，方法简单，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN109777403B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910191514.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Cs2AgxNa1‑xInCl6双层钙钛矿的制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化钠、氯化银、氯化铟按混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末；然后加入氯化铋继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Cs2AgxNa1‑xInCl6双层钙钛矿。本发明首次通过机械研磨实现了Cs2AgInCl6的Na+合金化和Bi3+痕量掺杂，极大的提高了其荧光产率；同时本发明具有操作简单，方法简单，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN110790300B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201911247706.7
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G5/00
Abstract: 本发明的一种简单高效合成Cs2AgI3钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域。首先将碘化铯、碘化银按照摩尔比1:1混合后加入十二烷基硫醇进行研磨，研磨的进行的过程中，用254nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止研磨，得到的产物120～350℃下在真空烘箱中热处理3小时，将热处理后得到的白色产物‑10℃～‑50℃冷冻处理1h～3h后得到荧光产率提高的Cs2AgI3非铅全无机钙钛矿。本发明首次通过机械研磨实现了纯相Cs2AgI3的制备，同时本发明具有操作方便，方法简单，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN109880618B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910191509.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn2+：Cs2AgInCl6。本发明具有操作简单，方法简单，荧光量子产率高，易于实现工业化生产等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112521939A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011413260.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种非铅金属卤化物高效闪烁体材料及制备方法属于半导体材料制备技术领域。所述的高效闪烁体材料，是金属卤化物Rb2AgBr3，制备方法包括：先将溴化铷、溴化混合研磨，200℃煅烧30h后加入三正丁基膦在球磨机中进行球磨，用254nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止球磨，向球磨罐中加入去离子水，继续研磨，将得到的产物用乙醇清洗后，在80～210℃真空条件下热处理3小时，得到纯相Rb2AgBr3固体粉末样品。本发明合成了高纯度的具有X射线荧光性质的Rb2AgBr3固体材料，该材料有望用于医用X射线成像，且该材料对于环境和人体的伤害远远低于卤化铅钙钛矿闪烁体材料。
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公开(公告)号：CN112480911A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011413106.6
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率无机非铅钙钛矿材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述的高荧光效率无机非铅钙钛矿材料，是Cu掺杂的Cs2AgI3钙钛矿，Cu的掺杂量为0.09％，制备方法为：先将碘化铯、碘化银混合后球磨，再加入碘化亚铜、氢碘酸、微升次磷酸密封加热150～200℃，最后降温至室温退火后，‑10℃～‑35℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Cs2AgI3：Cu晶体，在302nm的紫外灯激发下发出亮蓝色的荧光，具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN110862103A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911223765.0
申请日：2019-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高效合成Cs2AgBr3非铅全无机钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域。首先将溴化铯、溴化银按照摩尔比2:1混合后加入三正辛基磷进行研磨，混合物由蓬松的淡黄色粉末逐渐变硬并且附着在容器壁上，随着研磨的进行，由淡黄色逐渐变为白色粉末，研磨过程用302nm紫外灯进行监测，产物亮度不再增加时停止；得到的产物80～300℃下在真空烘箱中热处理3小时，再在-10℃～-50℃冷冻处理1h～3h后得到荧光产率提高的Cs2AgBr3非铅全无机钙钛矿。本发明的方法具有耗时短、操作简单、适合大规模生产的优点。
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公开(公告)号：CN109880618A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910191509.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化银、氯化铟混合后进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变硬附着在容器壁上，再变软，继续研磨直到混合物再次变成蓬松的白色粉末，然后加入氯化锰继续研磨直到粉色的超干氯化锰均匀分散到反应体系中，粉色消失，停止研磨；将得到的产物用乙醇清洗后，在60～350℃真空条件下烘干2小时，得到高荧光效率Mn2+：Cs2AgInCl6。本发明具有操作简单，方法简单，荧光量子产率高，易于实现工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN112521940B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202011413306.1
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种X射线黄色荧光闪烁体材料及制备方法属于半导体材料制备技术领域。所述的X射线黄色荧光闪烁体材料，是金属卤化物Rb2AgCl3，制备方法包括：先将氯化铷、氯化银混合均匀后转移至水热反应釜中，加入浓盐酸，在管式炉经历3h升温至130℃～210℃，在此温度下维持5h，之后以6℃/h缓慢降温至室温，得到针状的Rb2AgCl3晶体，最后抽滤、洗涤、干燥，得到可以作为X射线黄色荧光闪烁体的Rb2AgCl3金属卤化物晶体。该晶体在254nm紫外灯照射下发射黄色荧光，且X射线照射下，表现出黄色的闪烁体发光性质，是一种无毒安全绿色的闪烁体材料，并且合成条件较传统闪烁体简单，能耗小。
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