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公开(公告)号：CN110937623A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911217743.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种简单合成CsAgCl2纯相无机非铅钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域，首先将氯化铯、氯化银按摩尔比1:1混合后加入油胺进行研磨；混合物由蓬松的白色粉末逐渐变得致密而附着在容器壁上，随着研磨时间的加长，最后又变成蓬松的白色粉末，停止研磨；将得到的样品放入真空烘箱内60～300℃热处理2h；随后立即在-10℃～-40℃冷却处理1h～2h后，即得到高纯度、高荧光效率的CsAgCl2的无机钙钛矿。本发明具有方法简单、操作容易、能耗小、合成的CsAgCl2无机钙钛矿纯相等优点，具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115558489B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211299086.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率零维镓掺杂金属卤化物及其制备方法属于半导体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铷、氯化镉、氯化镓粉末混合均匀后加入1～5mL DMF溶液，加热至80℃得到澄清透明溶液，然后快速转移至温度为80℃的真空烘箱中，通过0.2～5℃/min的程序降温至室温后得到多晶粉末。利用异丙醇洗涤晶体2～3次后，在60～200℃下烘干20min，最后将晶体在‑10～‑30℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Rb4CdCl6：10％Ga。本发明合成了一种全新的Ga3+掺杂镉基零维金属卤化物Rb4CdCl6，在302nm激发下显示出强绿光发射。
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公开(公告)号：CN115651652A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211299094.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明的一种具有防水功能的全无机四元金属卤化物及其制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铯、四氯化锆、四氯化锡混合均匀后转移至水热反应釜，加入浓盐酸，去离子水、硬脂酸，管式炉升温至110℃～200℃维持480min，缓慢降温至室温，抽滤，取出后烘干燥处理等。本发明首次提出了一种通过四价金属离子互掺杂显著改善荧光效率及水稳定性的方法，制备的产物是一种具有高量子效率和超高水稳定性的钙钛矿发光材料，在光电方面的应用提供了良好的前景。
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公开(公告)号：CN112480911A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011413106.6
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率无机非铅钙钛矿材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述的高荧光效率无机非铅钙钛矿材料，是Cu掺杂的Cs2AgI3钙钛矿，Cu的掺杂量为0.09％，制备方法为：先将碘化铯、碘化银混合后球磨，再加入碘化亚铜、氢碘酸、微升次磷酸密封加热150～200℃，最后降温至室温退火后，‑10℃～‑35℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Cs2AgI3：Cu晶体，在302nm的紫外灯激发下发出亮蓝色的荧光，具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN115651652B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202211299094.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明的一种具有防水功能的全无机四元金属卤化物及其制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铯、四氯化锆、四氯化锡混合均匀后转移至水热反应釜，加入浓盐酸，去离子水、硬脂酸，管式炉升温至110℃～200℃维持480min，缓慢降温至室温，抽滤，取出后烘干燥处理等。本发明首次提出了一种通过四价金属离子互掺杂显著改善荧光效率及水稳定性的方法，制备的产物是一种具有高量子效率和超高水稳定性的钙钛矿发光材料，在光电方面的应用提供了良好的前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115558489A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211299086.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率零维镓掺杂金属卤化物及其制备方法属于半导体材料制备技术领域。制备步骤包括将氯化铷、氯化镉、氯化镓粉末混合均匀后加入1～5mL DMF溶液，加热至80℃得到澄清透明溶液，然后快速转移至温度为80℃的真空烘箱中，通过0.2～5℃/min的程序降温至室温后得到多晶粉末。利用异丙醇洗涤晶体2～3次后，在60～200℃下烘干20min，最后将晶体在‑10～‑30℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Rb4CdCl6：10％Ga。本发明合成了一种全新的Ga3+掺杂镉基零维金属卤化物Rb4CdCl6，在302nm激发下显示出强绿光发射。
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公开(公告)号：CN112520781B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202011398009.4
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种铜掺杂三元金属卤化物及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述铜掺杂三元金属卤化物，是Cu掺杂的Rb2AgI3钙钛矿荧光材料。制备方法包括：先将碘化铷、碘化银和碘化亚铜混合滴加次磷酸，在球磨机中35Hz下球磨15h，乙醇清洗，真空烘干，最后进行‑5℃～‑20℃冷却处理后，得到高纯度、荧光效率增强的铜掺杂三元金属卤化物Rb2AgI3:Cu，该样品在302nm的紫外灯激发下发出亮蓝色的荧光，具有无毒、高量子效率和较高的空气稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN112480911B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202011413106.6
申请日：2020-12-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高荧光效率无机非铅钙钛矿材料及制备方法属于钙钛矿晶体材料制备技术领域。所述的高荧光效率无机非铅钙钛矿材料，是Cu掺杂的Cs2AgI3钙钛矿，Cu的掺杂量为0.09％，制备方法为：先将碘化铯、碘化银混合后球磨，再加入碘化亚铜、氢碘酸、微升次磷酸密封加热150～200℃，最后降温至室温退火后，‑10℃～‑35℃冷却处理1h～3h后，得到高纯度、荧光效率增强的Cs2AgI3：Cu晶体，在302nm的紫外灯激发下发出亮蓝色的荧光，具有无铅无铬、高量子效率和环境稳定性等优点。
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公开(公告)号：CN110790299B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911247586.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种简单合成CsAg2I3纯相无机非铅钙钛矿的方法属于半导体纳米材料制备技术领域。首先将碘化铯、碘化银按摩尔比1:2混合后加入十二烷基硫醇进行研磨，随着球磨时间的推移，混合物先由蓬松的灰白色粉末逐渐变得致密而附着在容器壁上，最后又转变成蓬松的灰白色粉末，停止球磨，将产物直接放入真空烘箱内，在60～300℃下热处理2h；随即在‑15℃～‑40℃下冷却处理1h～2h，制得高纯度、高荧光效率的CsAg2I3的无机钙钛矿。本发明具有方法简单、操作容易、耗时短、能耗小、合成的CsAg2I3是纯相物质等优点，具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN110938428A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911217750.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的一种高效合成Cs2AgCl3全无机非铅钙钛矿的方法属于半导体纳米发光材料制备技术领域。首先将氯化铯、氯化银按摩尔比2:1混合后加入油酸进行研磨，混合物由蓬松的白色粉末逐渐变得致密而附着在容器壁上，随着研磨时间的加长，最后又变成蓬松的白色粉末，停止研磨；将研磨罐敞开放入真空烘箱中，在50～350℃条件下真空热处理，再进行冷冻处理5～300分钟后得到高荧光产率的纯相Cs2AgCl3全无机非铅钙钛矿。本发明具有操作简单，方法简单，易于实现工业化生产等优点，为合成纯相物质提供了一种方法。
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