一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113921286B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202111152229.3

    申请日:2021-09-29

    IPC分类号: H01G9/20

    摘要: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法,所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构,在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中,ZnO为二维纳米片结构,均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极,通过热封膜将其与对电极连接,并在中间注入聚硫电解质或去离子水,分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测,且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料,并基于其分别制备了高性能的光电探测器,拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。

    一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115020518A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210658377.0

    申请日:2022-06-10

    摘要: 一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法,所述Bi2O2S具有由二维纳米片自组装而成的三维花状分层结构,所述Bi2O2S微米花阵列是通过大面积生长在导电衬底上制得,所述光电探测器是以制备的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花作为探测材料,分别设计了自供能红外探测器和柔性红外探测器。本发明所制备的Bi2O2S光电探测器能够实现对红外光的快速探测,并且展示出了优异的循环稳定性。本发明主要利用简便、易操作的水热法合成了具有独特分层结构的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花,并首次实现了Bi2O2S微米花阵列或Bi2O2S纳米花在光电探测器上的应用,为光电领域提供了一种新的可选择的红外光电探测材料。