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公开(公告)号：CN116477952B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310515235.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/626
Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。
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公开(公告)号：CN117843386A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410054890.8
申请日：2024-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/58 , C04B35/66
Abstract: 一种优异高温力学性能C/C‑SiBCN喷管的制备方法，它涉及C/C‑SiBCN喷管的制备方法。本发明要解决现有喷管无法实现轻质化及喉部区域结构强度的同时满足，而且解决现有PIP工艺制备C/SiBCN复合材料需要高温和压力导致碳纤维的损伤。方法：一、在碳纤维预制体内的纤维表面制备热解碳界面层；二、制备C/C‑SiBCN复合材料基体，实现较高程度致密化、轻质化和优异的高温力学性能；三、通过精密机械加工制备出喉部区域外表面具有环向交叉加强筋的C/C‑SiBCN喷管。本发明用于优异高温力学性能C/C‑SiBCN喷管的制备。
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公开(公告)号：CN112851359B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110085694.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D01F9/10 , C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种吸波型SiBCN纳米纤维及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述吸波型SiBCN纳米纤维微观相结构由碳化硅相、自由碳相和硅硼碳氮非晶基体相组成，所述碳化硅相和所述自由碳相分散在所述硅硼碳氮非晶基体相中。本发明的SiBCN纳米纤维中的SiBCN非晶基体相为电绝缘基体，具有优异的透波性能，而SiC相和自由碳相具有良好的介电性能，可改善SiBCN纳米纤维与自由空间之间的阻抗失配，使得入射的电磁波会尽可能多地由空气介质渗透到SiBCN纳米纤维中，并转化为内部能量。而且均匀分布在电绝缘基体中的由SiC相和自由碳相组成的导电相可以进一步调节材料的介电常数，引起较高的介电损耗以增强SiBCN纳米纤维的电磁波吸收能力。
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公开(公告)号：CN112851363B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110085758.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5835 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料包括硅硼碳氮陶瓷和分散在所述硅硼碳氮陶瓷内的氧化石墨烯，所述氧化石墨烯与所述硅硼碳氮陶瓷通过酰化反应形成的化学键连接，且所述氧化石墨烯呈平行排列的层状结构。本发明的氧化石墨烯通过酰化反应改性聚硼硅氮烷，聚硼硅氮烷相当于插层材料分布于相邻氧化石墨烯层之间，增大了相邻氧化石墨烯层之间的间距，破坏了氧化石墨烯层间的范德华力，并且氧化石墨烯键合在聚硼硅氮烷上，防止了氧化石墨烯滑移导致的分散不均匀问题，提高了氧化石墨烯在复合材料中分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN113173790A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110613692.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/583 , C04B35/622 , B28B3/00 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种B4C‑TiB2/BN层状陶瓷材料及其制备方法，属于层状陶瓷材料制备技术领域。所述层状陶瓷材料由B4C‑TiB2层与BN层依次交替叠加而成，所述BN层位于两层所述B4C‑TiB2层之间。本发明以B4C‑TiB2层为基体层、BN层为弱界面层，通过弱界面层的裂纹偏转增韧、基体层的残余压应力增韧和微裂纹增韧等多种增韧方式，使得材料整体在保留较高强度的同时断裂韧性大大提高，具有较好的抗冲击性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116693297B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310735099.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/645 , C04B35/626 , C04B35/628
Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN117697919A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311838210.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷的方法，它属于陶瓷材料增材制造领域。本发明要解决现有陶瓷前驱体直写打印后，坯体从聚合物至陶瓷的热解过程存在构件线性收缩率及孔隙率高，导致力学性能下降的问题。方法：一、称取；二、制备陶瓷浆料；三、3D打印；四、固化及热解。本发明通过改变针头直径大小即可实现形状复杂、不同分辨率且低收缩、高陶瓷产率、良好的力学及介电性能的立体陶瓷构件一体化成型。本发明用于利用直写式3D打印技术制备复相陶瓷。
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公开(公告)号：CN117247281A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311134849.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/84 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，具体而言，涉及一种抗氧化Csf/SiBCN复合材料及其制备方法，该方法包括：将非晶MA SiBCN粉体、酚醛树脂与有机溶剂混合均匀，得到MA SiBCN浆料；制备短碳纤维‑MA SiBCN浆料层状结构体系并进行固化处理，得到层状短碳纤维‑MA SiBCN坯体；在惰性气体保护气氛下，将层状短碳纤维‑MA SiBCN坯体进行热解反应，冷却至室温，得到多孔Csf/MA SiBCN复合材料；将多孔Csf/MA SiBCN复合材料进行至少一次浸渍‑交联‑热解处理，得到抗氧化Csf/SiBCN复合材料；本发明制得的Csf/SiBCN复合材料具有较佳的抗氧化性。
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公开(公告)号：CN116969774A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310984549.8
申请日：2023-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/195 , C04B35/622
Abstract: 一种高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备方法，它涉及SiBCN陶瓷基复合材料的制备方法。本发明要解决现有碳纤维或裂解碳涂层碳纤维增强SiBCN陶瓷基复合材料存在触面结合力差，且高温耐烧蚀性提升程度有限的问题。方法：一、制备裂解碳涂层短切碳纤维；二、制备SiBCN非晶陶瓷粉末；三、混合原料；四、烧结。本发明用于高温耐烧蚀的短切碳纤维增强SiBCN‑MAS复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN114933480A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210630456.0
申请日：2022-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/584 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料的制备方法，它涉及一种SiBCN复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiBCN陶瓷材料存在韧性低，应用可靠性低，烧结温度和压力高及现有短碳纤维在基体中分散不均匀、团聚的问题。方法：一、制备短碳纤维预制体；二、制备SiBCN浆料；三、制备多层短碳纤维‑SiBCN坯体；四、热解，得到具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。本发明不需要特殊的复合材料制备技术，制备工艺简单。本发明可获得一种具有伪塑性断裂的Csf/SiBCN复合材料。
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