一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN113697780A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111220991.0

    申请日:2021-10-20

    IPC分类号: C01B19/04 B82Y40/00

    摘要: 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法,属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为:采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源,加入去离子水,搅拌处理10~30min,充分混匀后,加入葡萄糖,室温下搅拌备用;在搅拌和冷水浴的条件下,滴加酸液控制溶液的pH在0~6;将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中,反应釜拧紧密封,随后置于烘箱加热;反应结束后,自然冷却至室温,将产物置于离心管中,加入乙醇溶液,随后离心,收集下层沉淀样品,进行多次洗涤,最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单,反应条件温和,安全可靠性好,原料价廉易得,对环境友好。

    一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112113669A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010884901.7

    申请日:2020-08-28

    摘要: 一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法。本发明属于光电探测器件及其制备领域。本发明的目的在于解决SnSe纳米管需要高温合成,并且要使用化学试剂去除硬模板,易引入杂质的技术问题。红外探测器件包括工作电极、对电极和电解液;所述工作电极与对电极通过热封膜相连接,内部形成空腔,空腔内注入电解液,工作电极为表面旋涂有SnSe纳米管的ITO玻璃或FTO玻璃;所述SnSe纳米管表面呈鱼鳞片状,内部呈现中空结构。方法:一、Se纳米线的制备;二、Se@SnSe纳米材料的制备;三、SnSe纳米管的制备;四、红外探测器的制作。本发明利用溶液法合成的SnSe纳米管结构具有独特的鱼鳞状中空结构,且方法具有成本低、易操作、环境友好等优点,适合大规模生产及应用。

    一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN112071652A

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN202010968833.2

    申请日:2020-09-15

    摘要: 本发明公开了一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用,所述异质结构由ZnO纳米棒和SnO2八面体块构成,SnO2八面体生长在衬底上,ZnO纳米棒生长在SnO2八面体块的表面,整体呈刺猬状结构。本发明使用溶液合成的方法在衬底上生长大面积的刺猬状ZnO/SnO2异质结构,进一步将其作为工作电极,Pt作为对电极,两电极通过热封膜连接,器件中间注入碘电解质或去离子水,获得具有良好自供能特性的紫外探测器,应用于紫外探测领域。该方法操作简单、成本低、适合大规模生产,具有很高的实用价值。

    一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109331844A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811250748.1

    申请日:2018-10-25

    IPC分类号: B01J27/051 B01J35/02

    摘要: 本发明公开了一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法,所述MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料以MoS2微球为基体材料,在MoS2微球表面负载PtCo合金纳米颗粒,具体制备步骤如下:首先通过水热法制备MoS2微球;然后通过PVP产生自组装所需的结合力;最后通过共还原的方式制备PtCo合金纳米颗粒,并使其负载于MoS2微球表面,得到MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料。MoS2/PtCo合金纳米颗粒复合材料具有与铂相近的催化能力且含铂量很低,并具有强于铂的催化稳定性,这对代替主流的贵金属催化剂具有重要意义。

    一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器

    公开(公告)号:CN104576805A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510030089.0

    申请日:2015-01-21

    IPC分类号: H01L31/101 H01L31/0304

    摘要: 本发明公开了一种基于InAs/GaSb II类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器,其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极,所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp-p-π-M-n异质结构,具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。

    双面氧化锌纳米阵列光催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN104549209A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410826277.X

    申请日:2014-12-26

    IPC分类号: B01J23/06

    摘要: 本发明提供了一种双面氧化锌纳米阵列光催化材料及制备方法。所述光催化材料由ZnO纳米阵列和石英衬底构成,ZnO纳米阵列生长在整个石英衬底的两个表面。制备方法如下:在清洗干净的石英衬底的两个表面分别制备一层ZnO薄膜作为晶种层;利用水热法在石英衬底的两个表面上同时生长ZnO纳米阵列。本发明利用水热法在石英衬底上制备了双面ZnO纳米阵列,能够有效提高太阳光的利用率,显著提高光催化性能。其制备方法具有操作简单、可控性强、成本低等优点,适用于大面积生长,并且催化剂便于回收,可重复使用,具有很高的实用价值和应用前景。

    S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103558663A

    公开(公告)日:2014-02-05

    申请号:CN201310555969.0

    申请日:2013-11-09

    IPC分类号: G02B6/255 G01N21/45

    摘要: S形光子晶体光纤锥传感器及其制备方法,涉及一种光子晶体光纤锥传感器及其制备方法。所述传感器由光纤经拉锥工艺制成,塌孔区域变形为S形,锥长L=250~350μm,腰径W=80~120μm,偏移距离△d=30~50μm。本发明中,使用EricssonFSU975光纤熔接机来进行电弧加热拉锥和光纤之间的熔接。本发明制造的S形扭曲提高了光子晶体光纤锥的环境折射率传感性能。在外形方面,本发明的S形光子晶体光纤锥传感器的锥长L更短和腰径W更粗。S形光子晶体光纤锥的锥腰直径与光纤直径很接近,锥长也较短,短粗的外形将大大延长传感头的使用寿命,提高它的耐用程度,而且更适用于微区的环境折射率探测。

    铋铜氧硒纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114940482B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202210474735.2

    申请日:2022-04-29

    IPC分类号: C01B19/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了铋铜氧硒纳米材料的制备方法,所述方法采用简单的水热法,并辅以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)进行调控,得到了窄带隙的铋铜氧硒纳米材料。水热法操作简单、反应可控,所制备的铋铜氧硒纳米材料尺寸小、均匀性和分散性好,呈现一个规则的四方纳米片状结构。这种纳米结构带来的界面散射效应使得铋铜氧硒的热导率降低,从而提高其热电转换效率,这对材料的热电性能的提高具有重要的意义。

    一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114509163B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202210011149.4

    申请日:2022-01-06

    IPC分类号: G01J1/42 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法,属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列,所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先,利用水热法合成ZnO纳米棒;然后,通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜;接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列;最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构,进而构造了光电探测器。

    一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN113697780B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202111220991.0

    申请日:2021-10-20

    IPC分类号: C01B19/04 B82Y40/00

    摘要: 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法,属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为:采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源,加入去离子水,搅拌处理10~30min,充分混匀后,加入葡萄糖,室温下搅拌备用;在搅拌和冷水浴的条件下,滴加酸液控制溶液的pH在0~6;将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中,反应釜拧紧密封,随后置于烘箱加热;反应结束后,自然冷却至室温,将产物置于离心管中,加入乙醇溶液,随后离心,收集下层沉淀样品,进行多次洗涤,最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单,反应条件温和,安全可靠性好,原料价廉易得,对环境友好。