基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器

    公开(公告)号:CN202259698U

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201120410530.5

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器,属于电磁器件领域,本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成,主谐振结构为十字交叉结构的偶极子,在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构,所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构,在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构,所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构。

    一种RS485总线短路隔离器
    12.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201699736U

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN201020248872.7

    申请日:2010-07-06

    Abstract: 一种RS485总线短路隔离器,它涉及通讯技术领域,它解决了常用的基于RS485总线消防网络支路间的短路隔离的问题。本实用新型的一种RS485总线短路隔离器包括第一电气接口、无源信号短路自动隔离模块和第二电气接口,所述无源信号短路自动隔离模块包括驱动触发单元、开关驱动单元和RS485总线开关模块;本实用新型的一种RS485总线短路隔离器还可以是下述结构:它包括第一电气接口、有源前端数据收发模块、有源后端数据收发模块、自动收发控制模块、第二电气接口和稳压电源模块。本实用新型适用于RS485总线消防网络。

    有机光电三极管
    13.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201107811Y

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200620022192.7

    申请日:2006-12-12

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 有机光电三极管,近年来,有机薄膜三极管、有机发光二极管,以及有机二极管的研究,已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物,并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本实用新型的目的是提供一种具有极高的电流增益,使光电流放大β倍,与有机光电二极管相比,具有极高光电信号转换能力,输出的光电流信号容易处理的光电三极管,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极1,所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极3和漏极4采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜。本产品用于光电传感器件。

    磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器

    公开(公告)号:CN202231159U

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201120410538.1

    申请日:2011-10-25

    Abstract: 磁控微机械系统双带可调微波超材料吸收器,属于电磁器件领域,本实用新型为解决现有的可调超材料吸收器存在带宽窄、结构复杂、精度不高、不能集成以及制备成本高的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层、电子开口谐振环层和悬臂梁,衬底上依次设置有下金属地板层、绝缘介质层和电子开口谐振环层,电子开口谐振环层上的左端开口连接条、中间开口连接条和右端开口连接条的中部为断开的开口部位;开口部位上分别设置有一个悬臂梁;悬臂梁包括支撑件、下层微梁、上层微梁和敏感材料层,下层微梁的上表面依次设置有上层微梁、敏感材料层,下层微梁和上层微梁表面尺寸相同,敏感材料层表面尺寸为上层微梁表面尺寸的一半。

    半导体塑料发光管
    15.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201100964Y

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200620022193.1

    申请日:2006-12-12

    Abstract: 半导体塑料发光管,涉及一种采用层叠半导体塑料材质的发光管。现有的光电子器件及平板显示器领域中,电致发光器件大多由无机半导体材料制成,无机半导体材料的发光效率高,但做成大面积的显示器,工艺上还有困难。半导体塑料发光管,其组成包括:发光管,所述的发光管的作用层中包括塑料半导体酞菁铜和喹啉铝蒸发膜作用层,结构为金1、酞菁铜2、铝3、酞菁铜2、喹啉铝4、ITO透明电极5、玻璃基板6。本实用新型的产品适用于柔性全塑料显示器。

    亚微米厚度有机半导体薄膜三极管

    公开(公告)号:CN201100919Y

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200620022194.6

    申请日:2006-12-12

    Abstract: 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜发光三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本实用新型组成包括:玻璃基板1,玻璃基板上具有金2、酞菁铜3、铝4、酞菁铜5、金6的层状结构复合层。铝膜的厚度为20±10nm,酞菁铜的厚度上层为70±5nm,下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器,随着高性能新型有机半导体材料的开发,本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管,可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元,电子标签,有机集成电路芯片等更广泛的领域。

Patent Agency Ranking