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公开(公告)号：CN112432923A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011298539.1
申请日：2020-11-19
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： G01N21/41 , G01N21/552 , G01N21/01
摘要： 本发明专利提供了三角形气孔的D型光子晶体光纤折射率传感器装置及方法，由宽带光源、偏振器、流通池、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成；光纤折射率传感器位于流通池内，流通池内有控制液体分析物的入口和出口；D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆银掺杂氧化锌薄膜，与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆银掺杂氧化锌薄膜的D型光子晶体光纤一起构成所述三角形气孔的D型光子晶体光纤折射率传感装置的探头。利用SPR传感机制，将液体分析物折射率RI的微小变化转换成可测量的损耗峰的变化，实现折射率传感，具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点，在生化分析物检测、水污染监控中具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101197425B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610151099.0
申请日：2006-12-05
申请人： 哈尔滨理工大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的酞菁铜采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌，位于所述的铝蒸发膜栅极上侧的酞菁铜薄膜膜厚度为60-80nm、位于所述的铝蒸发膜栅极下侧的酞菁铜薄膜膜厚度为120-140nm，铝蒸发膜栅极厚度为17-22nm。本产品用于光电传感器件。
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公开(公告)号：CN1897323A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610067519.7
申请日：2006-02-27
申请人： 哈尔滨理工大学
发明人： 王东兴
IPC分类号： H01L51/50
摘要： 半导体塑料发光管，涉及一种采用层叠半导体塑料材质的发光管。现有的光电子器件及平板显示器领域中，电致发光器件大多由无机半导体材料制成，无机半导体材料的发光效率高，但做成大面积的显示器，工艺上还有困难。半导体塑料发光管，其组成包括：发光管，所述的发光管的作用层中包括塑料半导体酞菁铜和喹啉铝蒸发膜作用层，结构为金1、酞菁铜2、铝3、酞菁铜2、喹啉铝4、ITO透明电极5、玻璃基板6。本发明的产品适用于柔性全塑料显示器。
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公开(公告)号：CN112526202B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011298546.1
申请日：2020-11-19
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明专利提供了一种基于超声波检测电压的光纤传感装置，它包括ASE光源、光纤耦合器、传感单元、超声波转换装置、光电转换器、信号处理模块。本发明专利通过光纤进行传感，利用法珀腔原理，使ASE光源发出的光在法珀腔中产生干涉光谱，通过对干涉光谱的检测，测量电压，并且通过信号处理模块，实现数字输出，达到可以在计算机上显示的目的。本发明对超声波换能装置进行了结构设计，提高了效率，使超声波的频带加宽，实现了监测电压的目的。同时可以在主机上输出，实现了电压的实时监测。
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公开(公告)号：CN112526202A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011298546.1
申请日：2020-11-19
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 本发明专利提供了一种基于超声波检测电压的光纤传感装置及实现方法，它包括ASE光源、光纤耦合器、传感单元、超声波转换装置、光电转换器、信号处理模块。本发明专利通过光纤进行传感，利用法珀腔原理，使ASE光源发出的光在法珀腔中产生干涉光谱，通过对干涉光谱的检测，测量电压，并且通过信号处理模块，实现数字输出，达到可以在计算机上显示的目的。本发明对超声波换能装置进行了结构设计，提高了效率，使超声波的频带加宽，实现了监测电压的目的。同时可以在主机上输出，实现了电压的实时监测。
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公开(公告)号：CN112432715A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011302617.0
申请日：2020-11-19
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： G01K11/32
摘要： 本发明专利提供了一种基于SPR的D型光子晶体光纤温度传感装置及方法，由宽带光源、偏振器、变温箱、D型光子晶体光纤、单模光纤、光谱分析仪和计算机组成；光纤温度传感器位于变温箱内，变温箱由输入值控制箱内温度；D型光子晶体光纤侧面抛光表面涂覆Ag和Ta2O5薄膜，薄膜上再次涂覆温敏材料聚二甲基硅氧烷(PDMS)，与D型光子晶体光纤熔接的单模光纤、涂覆Ag和Ta2O5薄膜以及温敏材料的D型光子晶体光纤一起构成所述一种基于SPR的D型光子晶体光纤温度传感装置的探头。利用SPR传感机制，将温度的变化转换成可测量的损耗峰的变化，实现温度传感，具有灵敏度高、设计灵活、结构紧凑、稳定性强等优点，在温度监控领域具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN107039603A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710251562.7
申请日：2017-04-18
申请人： 哈尔滨理工大学
CPC分类号： H01L51/56 , H01L51/0078 , H01L51/50 , H01L51/5048 , H01L2251/10 , H01L2251/50
摘要： ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性。近年来，单一的有机材料蒸镀有机薄膜晶体管被广泛的制作和研究。本发明是两种有机材料进行共混蒸镀制作的有机薄膜二极管，这两种有机材料分别为酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)。ZnPc/ PbPc共混蒸镀薄膜二极管的组成包括：底衬底（1），ITO薄膜电极作为二极管的阳极（2），蒸镀的ZnPc和 PbPc的共混薄膜作为有源层（3），Al薄膜电极作为阴极（4），并且ZnPc和PbPc有3种不同的混合质量比，分别为1:1、4:5和5:4。本发明具有更高地电流密度和更宽地光感应波长带域，可以应用于光传感器的单元、光电传感器阵列器件等广阔的领域。
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公开(公告)号：CN101196489B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200610151098.6
申请日：2006-12-05
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： G01N27/414 , H01L51/00
摘要： 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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公开(公告)号：CN1897321B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610067520.X
申请日：2006-02-27
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： H01L51/05
摘要： 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，其组成包括：玻璃基板(1)，玻璃基板上具有金(2)、酞菁铜(3)、铝(4)、酞菁铜(5)、金(6)的层状结构复合层，铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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公开(公告)号：CN1897321A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610067520.X
申请日：2006-02-27
申请人： 哈尔滨理工大学
发明人： 王东兴
IPC分类号： H01L51/05
摘要： 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管，其组成包括：玻璃基板1，玻璃基板上具有金2、酞菁铜3、铝4、酞菁铜5、金6的层状结构复合层。铝膜的厚度为20±10nm，酞菁铜的厚度上层为70±5nm，下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器，随着高性能新型有机半导体材料的开发，本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管，可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元，电子标签，有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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