基于仿生结构设计的CNTs/MXene/PI气凝胶柔性导电复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN120059284A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510198820.4

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于仿生结构设计的CNTs/MXene/PI气凝胶柔性导电复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决柔性传感材料在高温下失效无法进行高温下的柔性传感问题,这限制了其在柔性传感领域的应用。本发明以4,4'‑二胺基二苯醚、3,3’,4,4’‑联苯四甲酸二酐、三乙胺为原料,制备出具有水溶性的聚酰胺酸盐材料。本发明通过利用CNTs和MXene材料的自组装效应,掺杂进聚酰亚胺盐溶液中,最后通过热亚胺化进程制备出具有耐高温能力的聚酰亚胺基柔性气凝胶传感材料。本发明复合材料在可以高温下进行柔性传感监测,在高温柔性传感应用领域具有巨大的应用潜力。

    一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN113733697B

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202110919946.8

    申请日:2021-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度宽传感范围的柔性复合薄膜及其应用,属于可穿戴传感器和电子皮肤等的应用领域。本发明要解决柔性基底和活性材料的结合力不强、材料的耐用性不强、传感范围不够大的技术问题。本发明柔性复合薄膜包括MXene/TPU复合薄膜和PDMS薄膜,所述PDMS薄膜设置在MXene/TPU复合薄膜两侧并与其粘结为一体;其中,MXene/TPU复合薄膜是采用涂膜法制备TPU薄膜,再喷涂2D的Ti3C2MXene纳米片配置的胶体水溶液后烘干得到的。本发明适用于健康检测、运动讯号、检测机器人动作、可穿戴电子设备等一系列应用。

    一种高介电性能三元复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113912966A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111136204.4

    申请日:2021-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法,属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成,填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须;是按下述步骤进行的:将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中,室温超声震荡至少2h,加入PVDF粉末,在室温下超声溶解反应至少4h,得到掺杂改性填料溶胶;然后进行抽滤和抽气泡,然后铺膜,然后烘干,得到复合薄膜;积叠放后热压,得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料,本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。

    一种通过调节分子结构调控聚酰亚胺薄膜高温储能的方法

    公开(公告)号:CN120059250A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510198817.2

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种通过调节分子结构调控聚酰亚胺薄膜高温储能的方法,属于嵌入式电容器和脉冲功率器件等的应用领域。本发明要解决现有聚酰亚胺还难以满足在高温、高频、强电场等极端环境下长期稳定工作的需求问题。本发明方法:将二胺溶于溶剂,置于冰水浴中,搅拌至均匀;分批次加入二酐,加料完毕后继续搅拌至均匀,得到PAA胶液;铺膜,梯度升温进行亚胺化。本发明在聚酰亚胺骨架中引入高极性基团以诱导其偶极极化,同时优化相邻共轭平面之间的相互作用得到具有优异的高温、高功率和高稳定性的聚酰亚胺薄膜。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。

    一种双交联自主自修复的原位聚合导电弹性体及其制备方法

    公开(公告)号:CN120059007A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510198821.9

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 一种双交联自主自修复的原位聚合导电弹性体及其制备方法,属于柔性、导电和自修复功能的智能材料的应用领域。本发明要解决现有自修复导电弹性体透明性差、导电性修复效率慢以及合成工艺复杂的问题。本发明将氯化胆碱加入丙烯酸中,搅拌均匀透明;加入植酸,搅拌均匀;加入镓铟共晶丙烯酸溶液,搅拌均匀,倒入模具中。本发明通过分子结构设计探讨弹性体导电及自修复的作用机制,对聚丙烯酸的分子结构进行调控实现了自修复导电弹性体的原位聚合,同时氢键和配位键双元驱动加速了其室温下自主自修复的过程。此外,离子导电机制不仅在保持透明性和可拉伸性的同时,还有效提升了电导率。可用于可穿戴设备、能源储存与转换、传感器和执行器等智能材料。

    棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111618312B

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202010349859.9

    申请日:2020-04-28

    Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用;属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时,当达到渗流阈值时,提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗,进而降低储能密度的问题,这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag,然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3,最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强,这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能,在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。

    一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113787795B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202110919482.0

    申请日:2021-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法;属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层,上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜,中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得;采用静电纺丝法制备中间层;在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度,且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异,设计方案简单,安全,在储能领域将具有很好的潜力,特别是在电气和电子设备的小型化,轻量化和集成方面有更明显的作用。

    一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113787795A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202110919482.0

    申请日:2021-08-11

    Abstract: 本发明公开了一种三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法;属于高储能密度电介质电容器应用领域。本发明解决了掺杂填料导致击穿强度过低的问题。本发明复合薄膜分为三层,上层和下层为聚偏氟乙烯薄膜,中间层为掺杂态聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜。上层和下层采用流延法制得;采用静电纺丝法制备中间层;在通过热压法获得三明治结构复合薄膜。本发明三明治结构的引入大大提高了复合薄膜的击穿强度,且具有较低的损耗。三明治结构聚吡咯/聚偏氟乙烯复合薄膜的储能性能优异,设计方案简单,安全,在储能领域将具有很好的潜力,特别是在电气和电子设备的小型化,轻量化和集成方面有更明显的作用。

Patent Agency Ranking