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公开(公告)号：CN111881331B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010741006.X
申请日：2020-07-29
申请人： 哈尔滨焊接研究院有限公司
IPC分类号： G06F16/9035 , G06F30/20
摘要： 本申请提出一种钎料的选取方法、装置、计算机设备及存储介质，通过获取多种钎料的属性信息；基于每种钎料的属性信息，确定每种钎料对应的润湿性能参数；基于每种钎料对应的所述润湿性能参数，从多种钎料中，选取对应的所述润湿性能参数满足预设选取条件的钎料，作为目标钎料。通过计算每种钎料的铺展面积系数作为其对应的润湿性能参数，并基于多个钎料的润湿性能参数进行选取，使得确定出润湿性能最佳的钎料，以提高实验或制造过程中的使用效率。
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公开(公告)号：CN110284032B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910674044.5
申请日：2019-07-17
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 一种高熵合金颗粒增强镁基复合材料制备方法属于金属基复合材料制造技术；所述方法通过高熵合金颗粒在镁合金屑中预分散混合料制备、镁合金熔体制备、超声处理、机械振动处理及浇注冷却加工处理得到抗拉强度可达220MPa、维氏硬度为89HV的高熵合金颗粒增强镁基复合材料，所述复合材料组织中高熵合金颗粒分散均匀，回收镁合金屑利用率高，高熵合金与镁合金界面结合相容性好，硬度、抗拉强度及塑性大幅度提高，其方法科学合理、简单，方便使用。
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公开(公告)号：CN107602130A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710964244.5
申请日：2017-10-17
申请人： 哈尔滨理工大学
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B38/00 , B28B1/00 , B28B11/24
摘要： 基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法，本发明涉及基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法。本发明的目的是为了解决目前选择性激光烧结技术制备多孔SiC陶瓷时，成型件孔隙率低的问题。本发明方法为：绘制多孔SiC陶瓷的三维模型、设定SLS成型机的参数、混合SiC粉末、粘结剂粉末和造孔剂、制得陶瓷坯体、进行CIP包套然后冷等静压致密化处理，进行脱脂预烧结，再在有氧环境下进行烧结，即完成。操作简便，成型速度快，原料利用率高，有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率，最终成型件的孔隙率为70％～80％，且具备一定的强度。本发明应用于多孔SiC陶瓷的制备领域。
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公开(公告)号：CN111719074A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010700147.7
申请日：2020-07-20
申请人： 哈尔滨吉星机械工程有限公司 , 哈尔滨理工大学
摘要： 一种高熵合金颗粒增强镁基复合材料消失模铸造的制备方法，涉及一种镁基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的镁基复合材料制备过程中添加镁合金废料比例较少，大量添加镁合金废料强度差的技术问题。本发明采用消失模铸造方法，利用双向剪切搅拌，添加高熵合金颗粒和浇注过程中超声处理，有效改善组织遗传性，避免了镁合金熔体不同位置颗粒分散不均匀，减少了组织粗化，抑制了凝固过程中的晶粒长大，细化了晶粒，提高镁合金废料的利用率，提高消失模铸造产品性能的目的。本发明中AZ91D废料利用率高，最高添加废料量占总质量的34％，既节省原料，降低成本，又适用连续式生产作业，属于环境友好型方法。
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公开(公告)号：CN110284032A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910674044.5
申请日：2019-07-17
申请人： 哈尔滨理工大学
摘要： 一种高熵合金颗粒增强镁基复合材料制备方法属于金属基复合材料制造技术；所述方法通过高熵合金颗粒在镁合金屑中预分散混合料制备、镁合金熔体制备、超声处理、机械振动处理及浇注冷却加工处理得到抗拉强度可达220MPa、维氏硬度为89HV的高熵合金颗粒增强镁基复合材料，所述复合材料组织中高熵合金颗粒分散均匀，回收镁合金屑利用率高，高熵合金与镁合金界面结合相容性好，硬度、抗拉强度及塑性大幅度提高，其方法科学合理、简单，方便使用。
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