公开(公告)号：CN1596036B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200410025634.9

申请日：2004-06-30

Applicant: 同济大学 ,  复旦大学 ,  深圳市豪恩电声科技有限公司

Inventor： 夏钟福 ,  吴贤勇 ,  沈绍群 ,  王丽 ,  李军

IPC: H04R31/00

Abstract: 本发明为一种利用有机胶粘剂连接两片式硅微型话筒的方法，具体是选择低聚合度、低交联度和具有合适熔融温区的固态有机胶粘剂，采用真空热蒸发技术在话筒的背极片，振膜片的设计接触区域沉积胶粘剂，再通过两片套准工艺，在受控温度下热压胶粘实现两片连接。本发明方法可使粘结工艺与驻极体工艺兼容，并可避免胶粘剂在振膜片的振膜区或者背极片的气孔内沉积，因而不影响器件的灵敏度及频响特性。此外，还可实现含有大量话筒结构单元的硅片的整片胶结，具有产业化前景。

公开(公告)号：CN100439235C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710069726.0

申请日：2007-06-27

Applicant: 温州大学 ,  昆山双桥传感器测控技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 薛伟 ,  沈绍群 ,  王文襄 ,  鲍敏杭 ,  王权 ,  王冰

IPC: B81C5/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO2层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。

公开(公告)号：CN100374838C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510028919.2

申请日：2005-08-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈绍群

IPC: G01L9/08 ,  G01L13/06 ,  H01L49/00

Abstract: 本发明属力敏传感器技术领域，具体涉及一种单片硅基SOI高温低漂移压力传感器。其中组成惠斯顿电桥的四个力敏电阻采用SOI材料制作；采用SOI电阻网络的内补偿和局部内电阻的外补偿技术，使零点温漂下降到1×10-6Vs/℃以下；采用梁-膜-岛结构提高传感器的灵敏度和线性度；采用在掺浓硼的多晶硅引线表面覆盖铝引线组成传感器的内引线，避免铝引线与多晶硅力敏电阻连接时因“台阶”引起的断裂现象；采用浓硼自终止技术制作超薄硅膜的高灵度高温低漂移压力传感器。本发明提出的单片硅基SOI高温低漂移压力传感器，制作工艺简单，成品率接近100%，生产成本低，适宜于大规模生产。

公开(公告)号：CN1731115A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510028919.2

申请日：2005-08-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈绍群

IPC: G01L9/08 ,  G01L13/06 ,  H01L49/00

Abstract: 本发明属力敏传感器技术领域，具体涉及一种单片硅基SOI高温低漂移压力传感器。其中组成惠斯顿电桥的四个力敏电阻采用SOI材料制作；采用SOI电阻网络的内补偿和局部内电阻的外补偿技术，使零点温漂下降到1×10－6Vs/℃以下；采用梁－膜－岛结构提高传感器的灵敏度和线性度；采用在掺浓硼的多晶硅引线表面覆盖铝引线组成传感器的内引线，避免铝引线与多晶硅力敏电阻连接时因“台阶”引起的断裂现象；采用浓硼自终止技术制作超薄硅膜的高灵度高温低漂移压力传感器。本发明提出的单片硅基SOI高温低漂移压力传感器，制作工艺简单，成品率接近100％，生产成本低，适宜于大规模生产。

公开(公告)号：CN2495492Y

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01253041.7

申请日：2001-08-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈绍群 ,  阎学贤

IPC: B60C23/02

Abstract: 本实用新型属报警器技术领域,具体涉及一种轮胎漏气数码遥控报警装置。它由开关传感器、数码遥控发讯器、信号无线接收器以及报警显示器构成。其中开关传感器是一种超小型的机械触点式开关传感器,起发讯器的电源开关控制作用。当轮胎发生漏气故障时,传感器触点接通,即发讯器的电源接通,发讯器发射数码讯号,由遥控接收器接收,并通过解码电路,识别所接收的信号,然后向报警显示器送出高电平信号,通过达林顿复合管进行电压放大和功率放大,以驱动蜂鸣器和发光两极管的声、光报警。

公开(公告)号：CN2076240U

公开(公告)日：1991-05-01

申请号：CN90215390.0

申请日：1990-10-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  陈健 ,  沈绍群

IPC: G01P15/08 ,  G01D5/12

Abstract: 本实用新型属于半导体硅加速度传感器的领域。硅芯片采用双岛五梁的微机械结构，力敏元件集中在二维图形对称中心的梁区上，因而可消除或显著减小横向效应，得到横向效应小，灵敏度高而工艺可控性好的单块硅加速度传感器。

公开(公告)号：CN2382014Y

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN98224984.5

申请日：1998-08-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲍敏杭 ,  沈绍群 ,  杨恒

IPC: G01L7/18

Abstract: 一种微压传感器测量标定装置,由两个连通的均横截面容器、带有标尺和刻度转盘的精密丝杆以及支架构成。容器中注有液体,并使其有恰当的液位。其中一个容器开口,由精密丝杆控制其上下移动;另一容器密闭、固定,与被测传感器连接。根据精度要求,选择合适容器横截面、容器上方的空间体积、丝杆精度。测量标定时,只要逐次转动转盘,使开口容器移动到与测试压强相应的高度,记录传感器的响应输出即可。使用本装置操作方便、速度快,精度高、可取代同类的测量标定仪器。