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公开(公告)号：CN1802037B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200510030144.2
申请日：2005-09-29
Applicant: 深圳市豪恩电声科技有限公司 , 同济大学 , 复旦大学
Abstract: 本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。
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公开(公告)号：CN1596035B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410025435.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 同济大学 , 复旦大学 , 深圳市豪恩电声科技有限公司
IPC: H04R31/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明为一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修饰方法。它利用带抽气阀门的玻璃容器，其底部放置试剂HMDS或DCDMS，上面放置待处理的含SiO2或Si3N4/SiO2驻极体薄膜的Si片，在试剂的纯饱和蒸汽下，进行气相反应，避免水或其它活性物质对薄膜表面的污染，本发明方法可以明显改善SiO2、Si3N4/SiO2的驻极态，确保电荷储存的稳定性。
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公开(公告)号：CN1694576A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026626.0
申请日：2005-06-09
Applicant: 复旦大学 , 深圳豪恩电声科技有限公司 , 同济大学
Abstract: 本发明属电声技术领域，具体为一种结构新型的单片硅基微型电容式麦克风。其中，振膜采用弹性系数高的单晶硅膜制作，背极板采用聚酰亚胺厚膜制成，振膜电极和背电极均采用浓硼埋层电极引出，仅在热压脚上制作厚度大于1μm的金属层。在背极板上有微型声学孔。此外，在形成振膜的单晶硅衬底正面集成一个JFET源极跟随器，以达到阻抗变换的目的。单晶硅膜的释放采用HF汽相腐蚀工艺，在振膜与背极板之间不会产生粘连现象，使芯片成品率大大提高。本发明提出的单片硅基微型电容式麦克风，制作工艺简单，成品率高，生产成本低，适宜于大规模生产。
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公开(公告)号：CN1596035A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025435.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 同济大学 , 复旦大学 , 深圳市豪恩电声科技有限公司
IPC: H04R31/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明为一种硅微型驻极体声传感器储电膜的化学表面修饰工艺。它利用带抽气阀门的玻璃容器，其底部放置试剂HMDS或DCDMS，上面放置待处理的含SiO2或Si3N4/SiO2驻极体薄膜的Si片，在试剂的纯饱和蒸汽下，进行气相反应，避免水或其它活性物质对薄膜表面的污染，本发明工艺可以明显改善SiO2、Si3N4/SiO2的驻极态，确保电荷储存的稳定性。
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公开(公告)号：CN1596036A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410025634.9
申请日：2004-06-30
Applicant: 同济大学 , 复旦大学 , 深圳市豪恩电声科技有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明为一种利用有机胶粘剂连接两片式硅微型话筒的方法，具体是选择低聚合度、低交联度和具有合适熔融温区的固态有机胶粘剂，采用真空热蒸发技术在话筒的背极片，振膜片的设计接触区域沉积胶粘剂，再通过两片套准工艺，在受控温度下热压胶粘实现两片连接。本发明方法可使粘结工艺与驻极体工艺兼容，并可避免胶粘剂在振膜片的振膜区或者背极片的气孔内沉积，因而不影响器件的灵敏度及频响特性。此外，还可实现含有大量话筒结构单元的硅片的整片胶结，具有产业化前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1060821C
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN97106555.1
申请日：1997-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23F1/32
Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用，可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。
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公开(公告)号：CN101108723A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710069726.0
申请日：2007-06-27
Applicant: 温州大学 , 昆山双桥传感器测控技术有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种超微压压力传感器硅芯片的制作方法，利用硅的平面工艺和体微机械加工技术结合，采用集成电路平面工艺技术和硅的各向异性腐蚀，结合压力传感器芯片设计中梁膜结构与平膜双岛结构的优点，采用双岛-梁-膜结构充分集中了应力，在保证高线性精度下，研制了高灵敏度超低微压压力传感器硅微芯片。该方法主要包括氧化-双面光刻对准记号-氧化-光刻背部大膜和光刻正面梁区-背部大膜和正面梁区腐蚀-氧化-光刻背面应力匀散区-背面应力匀散区腐蚀-背面胶保护正面漂净SiO2层-氧化-光刻电阻区-力敏电阻区硼掺杂-光刻浓硼区-浓硼扩散形成欧姆区-正反面淀积氮化硅-光刻引线孔-光刻背小岛、光刻背大岛-正面镀铝层、反刻铝引线、合金化-进入腐蚀工艺流程等步骤。
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公开(公告)号：CN1177021A
公开(公告)日：1998-03-25
申请号：CN97106555.1
申请日：1997-08-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23F1/32
Abstract: 本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积,光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀,用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构,有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的 方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用,可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。
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公开(公告)号：CN1694577B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200510026626.0
申请日：2005-06-09
Applicant: 复旦大学 , 深圳豪恩电声科技有限公司 , 同济大学
Abstract: 本发明属电声技术领域，具体为一种结构新型的单片硅基微型电容式麦克风。其中，振膜采用弹性系数高的单晶硅膜制作，背极板采用聚酰亚胺厚膜制成，振膜电极和背电极均采用浓硼埋层电极引出，仅在热压脚上制作厚度大于1μm的金属层。在背极板上有微型声学孔。此外，在形成振膜的单晶硅衬底正面集成一个JFET源极跟随器，以达到阻抗变换的目的。单晶硅膜的释放采用HF汽相腐蚀工艺，在振膜与背极板之间不会产生粘连现象，使芯片成品率大大提高。本发明提出的单片硅基微型电容式麦克风，制作工艺简单，成品率高，生产成本低，适宜于大规模生产。
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公开(公告)号：CN1802037A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510030144.2
申请日：2005-09-29
Applicant: 深圳市豪恩电声科技有限公司 , 同济大学 , 复旦大学
Abstract: 本发明属传感器技术领域，具体为一种两片结构的背极式硅基微型驻极体电容话筒。其中，驻极体层位于带有背电极的固定背极板上，以单晶硅或多晶硅为振膜，振膜片上的振膜和硅框架以同种材料组成，以克服因应力不匹配导致的振膜高破损率；以二氯二甲基硅烷作为对氮氧化硅储电层的化学表面修正试剂，形成具有高抗湿能力的完善驻极体表面疏水层，通过调控栅控恒压或恒流电晕充电参数并组合热处理，以改善因包含大量声学孔的驻极体层所面临的电荷储存能力下降的问题。本发明大大提高了产品成品率。
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