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公开(公告)号：CN107079544B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201580056004.4
申请日：2015-10-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在具有TFT基板(基板)(2)和设置在TFT基板(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(1)中，具有密封有机EL元件(4)的密封膜(14)。该密封膜(14)由有机层(14b)和无机层(14a、14c)的层叠结构构成，有机层(14b)的周缘部(14b2)的含碳率比该有机层(14b)的中央部(14b1)的含碳率低。
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公开(公告)号：CN106489301B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201580035471.9
申请日：2015-06-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3244 , H01L51/5203 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供电致发光装置，其包括：框状的密封件(5)，其设置在TFT基板(2)与对置基板(3)之间，并且与这些TFT基板(2)和对置基板(3)一起将有机EL元件(电致发光元件)(4)封入；和填充层(15)，其由液态的填充材料构成，并且被填充于对置基板(3)、密封膜(14)和密封件(5)这三者之间，在密封件(5)的内侧设置有支承体(16)，该支承体设置在TFT基板(2)与对置基板(3)之间，支承该TFT基板(2)和对置基板(3)。
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公开(公告)号：CN107852785A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040747.7
申请日：2016-07-04
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在包括柔性的基材(2)和设置在基材(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(1)中，包括调整层(15)，该调整层(15)具有散热性，并且用于调整该有机EL显示装置(1)的中和面，调整层(15)设置在该有机EL显示装置整体的膜厚方向上的中心的有机EL元件(4)侧。
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公开(公告)号：CN103069334A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180039851.1
申请日：2011-05-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L33/0041
Abstract: 薄膜晶体管基板（20）包括：绝缘基板（10a）；设置在绝缘基板（10a）上的栅极绝缘层（12）；设置在栅极绝缘层（12）上且包括铟镓锌氧化物（IGZO）的连接层（25）；设置在连接层（25）上且包括钛的漏极电极（16b）；形成于连接层（25）和漏极电极（16b）的接触孔（Ca）；和设置在接触孔（Ca）的表面上且与连接层（25）接触的像素电极（19a）。并且，漏极电极（16b）与像素电极（19a）经由连接层（25）电连接。
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公开(公告)号：CN102986012A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180034015.4
申请日：2011-07-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/1368 , G02F2001/133397 , G02F2001/13606 , G02F2001/136236 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L27/1288
Abstract: 各TFT（5a）包括：栅极电极（11aa）；以覆盖栅极电极（11aa）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11aa）重叠的方式设置有沟道区域（C）的半导体层（13b）；在半导体层（13b）上以使得沟道区域（C）露出并且隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（14aa）和漏极电极（14ba），各辅助电容（6a）包括：电容线（11ba）；以覆盖电容线（11ba）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11ba）重叠的方式设置的半导体层（13b）；和在半导体层（13b）上设置、与各像素电极（16a）连接的漏极电极（14ba），包含氧化物半导体的半导体层（13b）与包含氧化物导电体的各像素电极（16a）相互接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107852789A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042293.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在包括基材(2)和设置在基材(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(1)中，包括将有机EL元件(4)密封的密封层(14)。该密封层(14)包含氧化硅膜(14a和14c)。而且，这些氧化硅膜(14a和14c)的氧化度被设定为1.2以上1.8以下的值。
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公开(公告)号：CN107535026A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021661.X
申请日：2016-04-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/0097 , H01L51/5016 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H05B33/04 , Y02E10/549
Abstract: 包括：第一树脂基板(10a)；设置在第一树脂基板(10a)上的底涂膜(11a)；设置在底涂膜(11a)上的有机EL元件(18)；以覆盖有机EL元件(18)的方式设置的第一密封膜(19)；以与第一树脂基板(10a)相对的方式隔着粘接层(21)设置在第一密封膜(19)侧的第二树脂基板(10b)；和设置在第一密封膜(19)的外侧，使底涂膜(11a)与第一密封膜(19)以及粘接层(21)的密合性提高的第二密封膜(23a)。
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公开(公告)号：CN107079544A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056004.4
申请日：2015-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3244 , H01L51/0097 , H01L51/50 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H05B33/04
Abstract: 在具有TFT基板(基板)(2)和设置在TFT基板(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)的有机EL显示装置(1)中，具有密封有机EL元件(4)的密封膜(14)。该密封膜(14)由有机层(14b)和无机层(14a、14c)的层叠结构构成，有机层(14b)的周缘部(14b2)的含碳率比该有机层(14b)的中央部(14b1)的含碳率低。
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公开(公告)号：CN106717114A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580050502.8
申请日：2015-09-17
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L51/0097 , H01L51/5256 , H01L51/56 , H01L2251/5338 , H01L2251/558 , Y02E10/549
Abstract: 在包括柔性的TFT基板(基板)(2)、设置在该TFT基板(2)上的有机EL元件(电致发光元件)(4)和密封有机EL元件(4)的密封膜(14)的有机EL显示装置(电致发光装置)(1)中，设置可折弯的弯曲部(K)。另外，使密封膜(14)在弯曲部(K)的膜厚变薄。
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公开(公告)号：CN104521323A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041920.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L51/5256 , H01L51/56 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 抑制有机EL元件的劣化的阻挡膜(31a)具有：从基底基板侧起依次设置的第一无机膜(26)、第二无机膜(28)和第三无机膜(30)；设置在第一无机膜(26)与第二无机膜(28)之间的第一有机膜(27)；和设置在该第二无机膜(28)与第三无机膜(30)之间的第二有机膜(29)，在第一有机膜(27)设置有使第一无机膜(26)和第二无机膜(28)相互接触的多个第一贯通孔(27h)，在第二有机膜(29)设置有使第二无机膜(28)和第三无机膜(30)相互接触的多个第二贯通孔(29h)。
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