公开(公告)号：CN102135728A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110043750.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 褚金奎 ,  孟凡涛 ,  王志文 ,  韩志涛

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明属于微纳制造技术领域，具体为基于一维软模板纳米压印技术制作大面积三维纳米网格结构的方法。其步骤包括：利用软模板进行第一次纳米压印，然后采用氧RIE刻蚀去除压印胶残留层。利用制作的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，去胶后得到一维纳米光栅结构。利用与前一次压印和刻蚀工艺相同的参数，进行第二次压印和刻蚀工艺。在第二次压印中，调整模板方向与第一次压印时模板方向呈0°-90°夹角。最终得到具有亚25nm纳米点的三维纳米网格结构。本发明使用的软模板可以有效避免硬模板与硬性基底接触造成的永久性损伤，同时避免了三维模板的使用。制作的纳米结构的尺寸和形状可控。本发明的方法成本低，效率高、可控性好和分辨率高。

公开(公告)号：CN101714591A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910219830.2

申请日：2009-11-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 褚金奎 ,  韩志涛 ,  孟凡涛 ,  王志文

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种硅光电二极管的制作方法属于半导体器件制作领域，尤其涉及一种硅光电二极管的制作方法。本发明采用绝缘体上硅晶片作衬底，绝缘体上硅晶片包括支撑硅片、二氧化硅埋层和器件层。采用干法刻蚀工艺在器件层上先加工一个闭环的隔离沟槽；在绝缘体上硅晶片的器件层上表面上生长一定厚度的二氧化硅层，透过二氧化硅层在器件层进行离子注入掺杂，得到P型掺杂区和N型掺杂区。采用溅射的方法在器件层上表面上先后生长一定厚度的钛金属层和铝金属层，经光刻形成正电极和负电极，最后得到硅光电二极管结构。本发明提供的制作方法工艺简单，可靠性高，有良好的重复性和稳定性，可与其它器件进行集成。