用于集成传感器器件的样本井制造技术及结构

    公开(公告)号:CN112955401B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN201980071658.2

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明描述形成集成器件及特定言之形成集成器件中的一个或多个样本井的方法。这些方法可涉及:在包覆层上方形成金属堆叠;在该金属堆叠中形成孔隙;在所述孔隙内形成第一间隔材料;以及通过移除所述包覆层中的一些以将所述孔隙的深度延伸到所述包覆层中而形成样本井。在得到的样本井中,所述第一间隔材料的至少一部分与所述金属堆叠的至少一层接触。

    波导激发均匀性
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115335687A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202180019625.0

    申请日:2021-01-14

    Abstract: 用于在集成装置内以基本均匀的方式将光功率分布到大量样本井和/或其他光子元件的系统和方法。集成装置和相关仪器及系统可以被用于并行分析样本。集成装置可以包括光栅耦合器,该光栅耦合器配置为接收来自激发源的光并与多个波导(2‑104)光学耦合,该多个波导被配置为与样本井(2‑102)耦合。可以调制各个波导的光模的垂直范围以调整光在波导(2‑104)内的限制。这种调制可以使激发光能够更均匀地分布到样本井(2‑102),提高激发效率,并防止集成装置的区域上的超功率。

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