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公开(公告)号:CN114514420A
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN202080069903.9
申请日:2020-08-06
Applicant: 宽腾矽公司
IPC: G01N21/63 , G01N21/64 , G01N21/77 , G02B6/122 , G02B6/136 , H01L27/146 , H01L31/0232
Abstract: 描述了用于改良集成装置中的光学信号收集的设备及方法。微盘(1‑605)可在集成装置中形成且增加了入射于该微盘(1‑605)上并由该微盘(1‑605)再辐射的辐射的收集及/或浓度。可包含微盘(1‑605)的示例性集成装置可用于分析物检测及/或分析。此集成装置可包含多个像素,该多个像素各自具有用于接收待分析样本的反应室(1‑130)、光学微盘(1‑605)及被配置为检测来自该反应室(1‑130)的光学发射的光学传感器(1‑122)。微盘(1‑605)可包括具有第一折射率的介电材料,该介电材料嵌入于具有一或多个不同折射率值的一或多种周围材料(1‑610)中。
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公开(公告)号:CN115335687A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202180019625.0
申请日:2021-01-14
Applicant: 宽腾矽公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 用于在集成装置内以基本均匀的方式将光功率分布到大量样本井和/或其他光子元件的系统和方法。集成装置和相关仪器及系统可以被用于并行分析样本。集成装置可以包括光栅耦合器,该光栅耦合器配置为接收来自激发源的光并与多个波导(2‑104)光学耦合,该多个波导被配置为与样本井(2‑102)耦合。可以调制各个波导的光模的垂直范围以调整光在波导(2‑104)内的限制。这种调制可以使激发光能够更均匀地分布到样本井(2‑102),提高激发效率,并防止集成装置的区域上的超功率。
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公开(公告)号:CN113544493A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202080019075.8
申请日:2020-03-03
Applicant: 宽腾矽公司
Inventor: 迈克尔·贝洛斯 , 费萨尔·R·阿哈默德 , 詹姆斯·比奇 , 迈克尔·库曼斯 , 沙拉特·侯萨利 , 阿里·卡比里 , 凯尔·普雷斯顿 , 杰勒德·施密德 , 沈冰 , 乔纳森·M·罗斯伯格
Abstract: 描述了与衰减入射在用于样品分析的集成装置中的传感器(1‑122)上的激发辐射有关的装置和方法。选定材料和晶体形态的至少一个半导体膜(1‑336)位于形成在基板(1‑105)上的集成器件中的波导(1‑115)和传感器(1‑122)之间。对于单层半导体材料(1‑135)相距40nm的激发和发射波长,可以获得大于100或更高的抑制比。
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