公开(公告)号：CN103827024A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280039624.3

申请日：2012-08-23

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 涩谷明庆 ,  畠贤治 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02 ,  B01J23/745 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B32/05 ,  B01J23/745 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/32 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明的取向碳纳米管集合体的制造装置具备：具备将原料气体喷射到基体材料(111)上的喷射口(12a)的喷射部(12)、排出原料气体的排气口(15)、设有多个排气口(13a)的排气部(13)，多个排气口(13a)位于比多个喷射口(12a)更靠近排气口(15)的一侧。

公开(公告)号：CN102741161A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200980100516.0

申请日：2009-04-02

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 涩谷明庆 ,  川田敬一 ,  荒川公平 ,  畠贤治 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/164 ,  C01B2202/08 ,  C01P2004/13 ,  C23C16/0281

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管定向集合体的制造装置及制造方法，该装置在表面含有催化剂的基材上使碳纳米管定向集合体生长，包括：形成单元，其实现形成工序，使催化剂的周围环境成为还原气体环境，并加热催化剂及还原气体中的至少一方；生长单元，其实现生长工序，使催化剂的周围环境成为原料气体环境，并加热催化剂及原料气体中的至少一方使碳纳米管定向集合体生长；及传送单元，其至少将基材从形成单元传送到生长单元。由此可以防止连续制造中CNT定向集合体的制造量下降及品质恶化，与此同时轻易实现装置大型化从而可提高CNT定向集合体的制造效率。

公开(公告)号：CN102325720A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080007140.1

申请日：2010-02-08

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 高井广和 ,  畠贤治 ,  汤村守雄

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/158 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的取向碳纳米管集合体生产用基材是一种为了在该表面生成取向碳纳米管集合体的取向碳纳米管集合体生产用基材，具备金属基板和在该金属基板的表面以及背面上形成的防渗碳层。

公开(公告)号：CN101087730A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580042697.8

申请日：2005-12-12

Applicant: 日机装株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 汤村守雄 ,  大嵨哲 ,  八名纯三 ,  福间香织

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/843

Abstract: 一种单层碳纳米管的制造方法，适于制造高纯度的单层碳纳米管。此单层碳纳米管的制造方法包括下列步骤。首先，将含有原料烃、茂金属及硫化合物的原料混合物以烟雾状导出到以1～50m/sec的流通线速度而流通有氢气的导出区域中，其中，对于上述氢气及上述原料混合物的合计质量而言，上述原料烃的浓度为0.01～2.0质量％，上述茂金属的浓度为0.001～0.2质量％，且上述硫化合物的浓度对于上述茂金属的质量比为1/8～4倍的比例。接着，使上述氢气及所导出的上述原料混合物流通于设定为800～1,000℃的反应区域。

公开(公告)号：CN100579900C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200580042697.8

申请日：2005-12-12

Applicant: 日机装株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 汤村守雄 ,  大嵨哲 ,  八名纯三 ,  福间香织

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/30 ,  C01B2202/36 ,  Y10S977/843

Abstract: 一种单壁碳纳米管的制造方法，适于制造高纯度的单壁碳纳米管。此单壁碳纳米管的制造方法包括下列步骤。首先，将含有原料烃、茂金属及硫化合物的原料混合物以烟雾状导出到以1～50m/sec的流通线速度而流通有氢气的导出区域中，其中，对于上述氢气及上述原料混合物的合计质量而言，上述原料烃的浓度为0.01～2.0质量%，上述茂金属的浓度为0.001～0.2质量%，且上述硫化合物的浓度对于上述茂金属的质量比为1/8～4倍的比例。接着，使上述氢气及所导出的上述原料混合物流通于设定为800～1,000℃的反应区域。