公开(公告)号：CN102576792A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047464.8

申请日：2010-10-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/465 ,  H01L33/405 ,  H01L33/58

Abstract: 公开了一种容易地制作并且在一致偏振态中以高效率和高亮度出射光的发光元件。设置有产生光的活性层的该发光元件具有：第一反射层，其利用其中以规则间隔设置反射部件的反射部反射利用活性层产生的光，并且从在反射部件之间的输出部输出反射光；偏振分束器层，其在从输出部输出的光中通过第一方向的偏振光，并且衍射与第一方向正交地交叉的第二方向的偏振光；波片层，其使得已经通过偏振分束器层的光和已经利用偏振分束器层衍射的光被输入到其中，并且使该输入光作为具有相同偏振态的光输出；和第二反射层，其反射已经利用第一反射层反射的光。

公开(公告)号：CN102933991B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180013434.X

申请日：2011-01-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363 ,  G03B21/14 ,  H01L33/02

CPC classification number: G03B21/14 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/3083 ,  G02F1/13362 ,  G02F2001/133545 ,  G03B21/2073 ,  G03B33/10 ,  H01L33/44

Abstract: 公开了一种其中能够增加允许的入射角的波长板。这个波长板具有其中高折射率层和低折射率层被交替地堆叠的结构，这些层在一个面内方向上具有周期不大于波长的周期性的凹形/凸形结构。在高折射率层和低折射率层的厚度方向上的周期包括第一周期和第二周期，该第一周期被确定为使得所采用的波长属于光子带结构的第一带，该第二周期被确定为使得所采用的波长属于比光子带结构的第二带的中央波长更长的波长的范围。

公开(公告)号：CN102933991A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180013434.X

申请日：2011-01-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363 ,  G03B21/14 ,  H01L33/02

CPC classification number: G03B21/14 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/3083 ,  G02F1/13362 ,  G02F2001/133545 ,  G03B21/2073 ,  G03B33/10 ,  H01L33/44

Abstract: 公开了一种其中能够增加允许的入射角的波长板。这个波长板具有其中高折射率层和低折射率层被交替地堆叠的结构，这些层在一个面内方向上具有周期不大于波长的周期性的凹形/凸形结构。在高折射率层和低折射率层的厚度方向上的周期包括第一周期和第二周期，该第一周期被确定为使得所采用的波长属于光子带结构的第一带，该第二周期被确定为使得所采用的波长属于比光子带结构的第二带的中央波长更长的波长的范围。

公开(公告)号：CN102714257A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005520.6

申请日：2011-01-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: H01L33/24

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种出射线偏振光并且具有高效率和良好生产率的发光元件。该发光元件能够构造为具有更高亮度。具体公开了一种包括由产生光的半导体构成的活性层的该发光元件，其特征在于还包括：偏振层，该偏振层在于活性层中产生的光中透射在第一方向上的偏振分量，并且反射在与第一方向垂直的第二方向上的偏振分量，所述偏振层在与活性层同族的半导体上形成，并且包含与活性层同族的半导体或者金属；反射层，该反射层相对于活性层被设置在与偏振层相反的一侧中，并且反射已经被偏振层反射的光；和波长板层，该波长板层被设置在偏振层和反射层之间，并且改变已经被偏振层反射的光和已经被反射层反射的光的偏振态，并且包含与活性层同族的半导体。

公开(公告)号：CN102576784A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047758.0

申请日：2010-10-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 富山瑞穗 ,  片山龙一

IPC: H01L33/22 ,  G02F1/13357 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14

CPC classification number: G03B21/2073 ,  G02B1/005 ,  G02B6/1225 ,  G03B21/2033 ,  G03B33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5293 ,  H01L2933/0083 ,  H04N9/3167

Abstract: 公开了一种发光元件，其中亮度和方向性是高的并且出射光的偏振态受到控制。该发光元件具有基板(3)，和被设置在基板(3)上并且出射光的发光部(10)，其中在平行于基板(3)的第一方向(x)上的偏振分量的光强度高于在其它方向上的偏振分量的光强度。发光部(10)具有：产生光的活性层(12)；和多个结构体(14a)，多个结构体(14a)相对于活性层(12)被设置在发光部(10)的出射侧上并且沿着平行于活性层(12)的平面二维地置放。在平行于活性层(12)的截面上，每一个结构体(15a)的宽度(w1)，所述宽度在第一方向(x)上，和每一个结构体(15a)的宽度(w2)，所述宽度在与第一方向(x)垂直交叉的第二方向(y)上，是相互不同的。结构体(14a)以第一节距(p1)在第一方向(x)以规则间隔置放，并且以不同于第一节距(p1)的第二节距(p2)在第二方向(y)上以规则间隔置放。

公开(公告)号：CN100378829C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410095143.1

申请日：2004-10-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 片山龙一

IPC: G11B7/12 ,  G11B7/135

CPC classification number: G11B7/1369 ,  G11B7/1356 ,  G11B7/1378 ,  G11B7/139 ,  G11B7/13925 ,  G11B7/1395 ,  G11B2007/0006

Abstract: 提供一种对于下一代规格、DVD规格、CD规格中的任一光盘，在记录时都能够获得光的高输出、在再现时也都能够获得高S/N的光头装置和光学式信息记录或再现装置。从第一半导体激光器出射的波长400nm的光，几乎完全被第一分光器反射，聚光到下一代规格的光盘上。从第二半导体激光器出射的波长660nm的光，几乎完全被第二分光器反射，几乎完全透过第一分光器，聚光到DVD规格的光盘上。从第三半导体激光器射出的波长780nm的光，几乎完全被第三分光器反射，几乎完全透过第一及第二分光器，聚光到CD规格的光盘上。来自光盘的反射光，几乎完全透过第一、第二及第三分光器，由光检测器接收。