光波导器件以及行波型光学调制器

    公开(公告)号:CN100447615C

    公开(公告)日:2008-12-31

    申请号:CN200480023897.4

    申请日:2004-08-19

    Abstract: 本发明涉及光波导器件以及利用了它的行波型光学调制器。器件(4)具有电光学单晶基板(5)、光波导(2)以及调制电极(1A、1B、1C),电光学单晶基板(5)在由至少调制电极施加电场的区域(10)的厚度在30μm或其以下。通过使在形成光波导时产生的凸部的高度H(埃)和凸部的宽度W(μm)之积(H·W)在7150埃·μm或其以下,在光波导中传播的光能够形成单模。并且,在上述电场施加区域,上述光波导具有分支部,通过使上述分支部的上述光波导的间隔在46μm或其以上,能够使消光比曲线的峰和谷的起伏小至±5%以内。

    光波导器件
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100401139C

    公开(公告)日:2008-07-09

    申请号:CN200580015660.6

    申请日:2005-04-20

    CPC classification number: G02F1/2255 G02F1/0356 G02F2203/25

    Abstract: 本发明的光波导器件,通过第一接地电极(10)及信号电极(11)对第一分支部(3a)施加电压,通过第二接地电极(12A)及信号电极对第二分支部(3b)施加电压。在第一接地电极及信号电极之间形成第一间隙(13),在第二接地电极及信号电极之间形成第二间隙(14)。第一间隙及第二间隙分为电压施加部(13a、14a)、馈通部及连接部(13b、14b),且满足(G12/G11≤G22/G21<G32/G31)。其中,(G11)是连接部(13b)中的第一间隙的宽度,(G12)是连接部(14b)中的第二间隙的宽度,(G21)是连接部分一侧末端(13c)中的第一间隙的宽度,(G22)是连接部分一侧末端(14c)中的第二间隙的宽度,(G31)是电压施加部(13a)中的第一间隙的宽度,(G32)是电压施加部(14a)中的第二间隙的宽度。

    光调制器
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101128768A

    公开(公告)日:2008-02-20

    申请号:CN200680005708.X

    申请日:2006-02-20

    Abstract: 本发明提供一种对在三维光波导(5)中传播的光施加电压来调制该光的光调制器。光调制器具有:三维光波导(5),其含有至少一对分支光波导(5c)、(5d),分支光波导的合波部(5e)以及该合波部下游侧的出射部(5f);调制用电极(3A、3B、4),其用于施加对在三维光波导(5)中传播的光进行调制的信号电压;以及1次模式光导向波导(6A、6B),其对来自合波部的1次模式光进行导向。至少在调制用电极下基板的厚度是20μm以下,根据来自导向波导的光输出,使施加到调制用电极的直流偏压变化,由此可控制光调制器的工作点。

    光学调制器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1853132A

    公开(公告)日:2006-10-25

    申请号:CN200480026671.X

    申请日:2004-08-25

    CPC classification number: G02F1/2255 G02F2203/25

    Abstract: 本发明的光学调制器(1C)由电光学材料做成,具备具有一个主面和另一个主面的基板(2)、在基板(2)上形成的具有一个分支部(5)以及另一个分支部(3)的光波导、在基板的一个主面侧设置的接地电极(4A、4C)以及信号电极(4B)。一个分支部(5)和另一个分支部(3)设在接地电极(4A、4C)的边缘与信号电极(4B)的边缘之间。把微波电场施加在一个分支部(5)以及另一个分支部(3)的各电极相互作用部,在对在一个以及另一个分支部(3、5)传播的光进行调制时,在一个分支部以及另一个分支部,电场强度对电极相互作用长度的各积分值不同,得到预定的啁啾量。

    电光元件用的复合基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN114815329A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210482598.7

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备:电光结晶基板,其具有电光效应,所述电光结晶基板为c轴与电光结晶基板的水平面形成10°以内的角度的偏置基板;低折射率层,其与电光结晶基板接触,且折射率比电光结晶基板的折射率低;以及支撑基板,其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中,在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。

    电光元件用的复合基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN112955811B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201980061122.2

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备:电光结晶基板,其具有电光效应;低折射率层,其与电光结晶基板接触,且折射率比电光结晶基板的折射率低;以及支撑基板,其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中,在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。

    电光元件用的复合基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN112154368B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201880093270.8

    申请日:2018-05-22

    Abstract: 本发明公开了一种电光元件用的复合基板。复合基板具备:电光结晶基板,其具有电光效应;支承基板,其至少隔着非晶质层而与电光结晶基板接合;以及低折射率层,其位于电光结晶基板与非晶质层之间,并且,其折射率比电光结晶基板的折射率低。非晶质层由构成从一侧与非晶质层接触的层或基板的元素、以及构成从另一侧与非晶质层接触的层或基板的元素构成。

    外部谐振器型发光装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105765802B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201480063207.1

    申请日:2014-11-17

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备:光波导,其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面;布拉格光栅,其形成在光波导内;以及传播部,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)~式(5)的关系。

    外部谐振器型发光装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105765802A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201480063207.1

    申请日:2014-11-17

    Abstract: 不使用珀耳帖元件就能够抑制跳模,提高波长稳定性,抑制光强度变动。外部谐振器型发光装置具备单独使半导体激光振荡的光源、以及与该光源构成外部谐振器的进行单模振荡的光栅元件。光源具备使半导体激光振荡的活性层。光栅元件具备:光波导,其具有射入半导体激光的入射面和射出所需波长的出射光的出射面;布拉格光栅,其形成在光波导内;以及传播部,其设置在入射面和布拉格光栅之间。该外部谐振器型发光装置满足式(1)~式(5)的关系。

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