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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN111886368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN111094638B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN111094638A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107002286B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580065227.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域10和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域9，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。
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公开(公告)号：CN108886347A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017024.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/313 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性单晶基板与包含陶瓷的支撑基板直接键合时，可进行常温下的接合，并且使接合强度提高。在包含陶瓷的支撑基板上形成接合层，该接合层包含选自由莫来石、氧化铝、五氧化钽、氧化钛和五氧化铌构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面照射中性束，使接合层3A的表面4活化。将接合层的表面4与压电性单晶基板6直接键合。
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公开(公告)号：CN101939699B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980104539.9
申请日：2009-02-03
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
CPC classification number: G02B6/262 , G02B6/4207 , G02F1/3775
Abstract: 本发明提供一种高次谐波发生器，其具有固体激光振荡器、将由该固体激光振荡器所激发的激光的波长进行转换从而发生高次谐波的调制用光波导、激光的入射侧端面、高次谐波的出射侧端面、一侧的侧面及另一侧的侧面。出射侧端面具有在一侧的侧面(1a)侧所形成的研磨面(6)和在另一侧的侧面(1b)侧所形成的光散射面(5)，该一侧的侧面(1a)和研磨面(6)所形成的角θ为钝角，该另一侧的侧面(1b)与光散射面(5)之间所成的角α为钝角或直角。
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公开(公告)号：CN101535887A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780041570.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2201/066 , G02F2201/124
Abstract: 通过在单畴化的铁电体单晶基板的一个主面上所设置的梳形电极和另一个主面上所设的均匀电极之间施加电压，从而形成周期极化反转构造(9)，去除梳形电极。接着在基板(18)上形成光波导(20)。使光波导(20)的光强度中心(P1)离开梳形电极的前端位置(P0)。
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公开(公告)号：CN100378567C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200480006413.5
申请日：2004-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明的课题是在使用了非线形光学晶体的波长变换元件中，防止由波长变换元件产生的变换光输出功率的不稳定。本发明提供一种将基本光(A)变换为其他波长的光(B)的波长变换元件(1A、1B)。元件(1A、1B)具备：由非线形光学晶体的板状体构成的、具备一方的主面(2a)及另一方的主面(2b)的波长变换层(2)；以及接合在波长变换层(2)的一方的主面(2a)上的支撑体(3、3A)。可以将另一个支撑体(3b)接合在波长变换层(2)的另一方的主面(2B)上。
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