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公开(公告)号：CN1969394A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580018500.7
申请日：2005-05-06
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/26 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 在一种设置在晶体衬底上的至少具有作为发光层的由III族氮化物半导体形成的n型有源层以及在所述n型有源层上的包含p型杂质的III族氮化物半导体层的p－n结型化合物半导体发光二极管中，所述二极管具有沉积在所述包含p型杂质的III族氮化物半导体层上的室温下其带隙超过形成所述n型有源层的所述III族氮化物半导体的带隙且在未掺杂状态下呈现p型导电性的磷化硼基III－V族化合物半导体层，并且具有接合到所述磷化硼基III－V族化合物半导体层的表面的欧姆正电极。
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