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公开(公告)号：CN107171180A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710130811.7
申请日：2017-03-07
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0283 , H01S5/0286 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18322 , H01S5/18344 , H01S5/1835 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/343 , H01S5/423 , H01S2301/18 , H01S5/125 , H01L33/0045 , H01L33/10 , H01L33/145
摘要： 本发明公开一种发光元件。发光元件可发出一辐射且包含：一基板；一位于基板上的外延结构，外延结构依序包含一第一分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflector，DBR)、一发光叠层、一第二分布布拉格反射镜以及一接触层；一电极；一介于接触层以及电极之间的电流阻挡层；一形成于电流阻挡层中的第一开口；以及一形成于电极中以及位于第一开口之中的第二开口，其中发光元件于第二分布布拉格反射镜叠层之中，缺乏一氧化层以及缺乏一离子注入层。
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公开(公告)号：CN104916751A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510102739.8
申请日：2015-03-09
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/737 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01L33/16 , H01S5/323 , H01S5/343
摘要： 本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法，氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时，该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。
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公开(公告)号：CN103650263A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032130.2
申请日：2012-06-29
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。
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公开(公告)号：CN103518297A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280013594.9
申请日：2012-03-16
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/0421 , B82Y20/00 , H01L33/005 , H01L33/305 , H01S5/028 , H01S5/2004 , H01S5/2068 , H01S5/2072 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。
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公开(公告)号：CN103377915A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310153045.8
申请日：2013-04-27
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/324 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/0062 , B82Y20/00 , H01L33/0095 , H01L33/305 , H01S5/0206 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2068 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中，如符号“空白三角形”所示，短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右，长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是，长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反，可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即，在可实现上述接触电阻的热处理时间下，未进行充分的活性化，无法获得低比电阻。
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公开(公告)号：CN101938084B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010216255.3
申请日：2010-06-23
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/22
摘要： 一种激光器二极管包括：多个条形激光器结构，彼此平行地设置并依次包括下覆层、有源层和上覆层；多个条形上电极，单个地形成在各激光器结构的顶面上并电连接到上覆层；多个配线层，至少单个地电连接到各上电极；以及多个焊垫电极，形成在与多个激光器结构的区域不同的区域中，并且通过配线层电连接到各上电极。各配线层的端部在与各配线层接触上电极的区域不同的区域中。
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公开(公告)号：CN101447540B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810169999.7
申请日：2008-10-16
申请人： 日立电线株式会社
CPC分类号： H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L33/305 , H01S5/0421 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/34326
摘要： 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。
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公开(公告)号：CN101960622A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107061.5
申请日：2009-02-26
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L29/88 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： 提出了一种光电子半导体本体，其具有外延的半导体层序列，该半导体层序列具有隧道结(2)和设计用于发射电磁辐射的有源层(4)。隧道结具有在n型隧道结层(21)和p型隧道结层(22)之间的中间层(23)。在一个实施形式中，该中间层具有朝着n型隧道结层的n势垒层(231)、朝着p型隧道结层的p势垒层(233)和中部层(232)。中部层的材料组分不同于n势垒层和p势垒层的材料组分。在另一实施形式中，中间层(23)可替换选地或附加地有目的地设置有损伤部位(6)。此外，还提出了一种用于制造这种光电子半导体本体的方法。
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公开(公告)号：CN101471535A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188617.5
申请日：2008-12-25
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/042 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1046 , H01S5/3402 , H01S2302/02 , Y10S977/951
摘要： 一种激光器器件，其具有：增益介质；第一和第二包层，用于在厚度方向上将增益介质夹在中间；和腔结构，用于使得在所述增益介质中所生成的电磁波进行谐振。所述增益介质包括：多个活性区，用于生成电磁波；和被夹在所述活性区之中的至少一个连接区。所述第一和第二包层各自由负介电常数介质形成，所述负介电常数介质具有实部相对于所述电磁波为负的介电常数。电位调整部分被布置在所述连接区与所述第一包层之间以及所述连接区与所述第二包层之间，以用于调整所述连接区的电位。
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公开(公告)号：CN100463313C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200480034463.4
申请日：2004-12-21
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/18386 , H01S3/109 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/14 , H01S5/18391 , H01S5/2086 , H01S5/4062 , H01S5/423 , H01S2301/166
摘要： 本发明是具有在半导体衬底(2a)上形成的有源层(3)以及向上述有源层(3)注入载流子的一对电极即上部电极(5)和下部电极(6)的面发光激光器(100a)，将该下部电极(6)的形状形成为星型形状，以便在该下部电极(6)的中心部分中用高的电流密度进行从该下部电极(6)向上述有源层(3)的电流的注入，在其周边部分中用低的电流密度进行上述电流的注入。在该面发光激光器(100a)中，对面发光激光器的有源层注入的载流子的密度分布成为与有源层内的光的功率分布对应的分布，由此，可避免因有源层的与电极周边部对应的区域中的电流密度的增大导致的“烧孔”的发生，可大幅度地增加高输出时的横模稳定性以谋求高输出特性的提高。
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