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公开(公告)号：CN114318490A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111584911.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种大规模制备高纯度单晶石墨烯的方法，包括以下步骤：(1)制备丝素蛋白溶液；(2)制备高分子含碳有机薄膜；(3)微波等离子预处理；(4)真空煅烧。本发明以无污染的丝素蛋白胶体作为碳源，既避免了普遍使用气体作为碳源所带来的安全性问题，又不会产物石墨烯造成污染；通过微波等离子体技术及真空炉煅烧，能一次性制备出大量的单晶石墨烯粉末，实现大规模的石墨烯制备；石墨烯的形成温度在1100～1700℃，相比于其他工艺的石墨烯形成温度(2800℃)更低。
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公开(公告)号：CN109811313A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910150917.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/28 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C14/58 , C25F3/20 , C25D11/08 , C25D11/12 , C25D11/20 , C25D11/24 , C23F17/00
Abstract: 本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。
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公开(公告)号：CN108648783A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810199061.3
申请日：2018-03-12
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江莱达信息技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种医技检查项目相似性快速判别方法。本发明是根据医技检查项目命名特点，直接以部位和检查方法为语义空间，动态构建低维的特征向量进行相似性判断，克服现有的文本相似度计算方法大量统计、分解降维、提取语义等复杂计算缺点，并区分了检查次序对相似性的影响。本发明既简便快速，又准确有效，符合实际应用需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118256766A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410462158.4
申请日：2024-04-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石‑石墨烯‑金属复合材料的制备方法，属于复合材料技术领域，包括以下步骤：S1、将有机溶液与金属粉末充分混合后干燥得到混合粉末；S2、将金刚石与混合粉末进行混粉处理并进行预烧结得到混合粉块；S3、将混合粉块处理得到金刚石‑石墨烯‑金属的块状复合材料，并将其应用到高导热的电子封装材料中。本发明一种金刚石‑石墨烯‑金属复合材料的制备方法及应用，通过含碳、氮、硫的高分子溶液与金属粉末之间混合，制备得到一种氮掺杂石墨烯的界面结构，避免金刚石发生碳化的同时，增强了金刚石、铜之间的界面结合力，从而解决了导热导电复合材料的界面问题，并且获得的复合材料可以作为高导热的电子封装材料。
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公开(公告)号：CN116971000A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310164775.1
申请日：2023-02-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种分步电沉积制备永磁FePt厚膜的电镀工艺，通过调整分步沉积的次数以及时间控制永磁膜厚度，并采用预处理的方式促进镀膜永磁相的形成。通过调配镀液导电盐浓度调控电沉积速率，提升电沉积厚膜的可行性。同时电沉积具有设备简单、操作简便、成本较低等优点，为铁氧体永磁材料在磁偏置微波器件、磁存储、微电机中的应用提供了新思路。
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公开(公告)号：CN112853144A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011640888.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于金属基复合材料的制备技术，公开了一种金刚石/石墨烯/金属的复合材料的制备方法，关键技术是采用微波等离子体技术将含碳高分子材料转化为石墨烯作为金刚石和金属基之间的界面。该方法首先将含碳高分子材料制备成溶液；将溶液分多次加入金属粉末中进行碾磨混合均匀后烘干；再将烘干后的粉末与金刚石在球磨机中混粉后，使金刚石与包裹含碳高分子材料的金属粉末混合均匀；将混粉后的混合粉末放入自制模具中，在微波等离子体炉中热处理，随后在氮气氛围下冷却；将微波处理好的混合粉块放到石墨模具中，在热压炉里面烧结。该方法操作简单，成本低，能够实现高导热复合材料的制备，为复合材料在制备高导热电子封装材料扩展了应用范围。
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公开(公告)号：CN202649315U
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201220331306.1
申请日：2012-07-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器。现有的发射与接收线圈间，标签与发射和接收线圈间都会互相干扰。本实用新型包括两个发射线圈和一个接收线圈；所述的接收线圈位于两个发射线圈之间，两个发射线圈紧贴设置。每个发射线圈包括主发射线圈和辅发射线圈。接收线圈包括主接收线圈和辅接收线圈。本实用新型消除了发射线圈与接收线圈间、标签分别与发射和接收线圈间的互相干扰；解决了传统测试传感器因以上各部分间干扰导致谐振频率测量误差和无法测试电子标签Q值的问题。
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公开(公告)号：CN203774448U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420140339.7
申请日：2014-03-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本实用新型包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本实用新型能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。
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