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公开(公告)号：CN118957729A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411013999.3
申请日：2024-07-26
申请人： 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要： 本发明属于晶体生长和固溶体制备技术领域，涉及一种基于多功能金属氧化物掺杂提高NASICON钠离子电导率的方法。通过固相反应法以金属M的氧化物作为掺杂剂对Na3Zr2Si2PO12中的Zr进行掺杂，其中Na源、P源均不过量，烧结温度为1130℃。本发明M取代Zr进入Na3Zr2‑xMxSi2PO12的八面体空隙发挥如下作用：增大晶面间距；诱导晶体沿有利于钠离子传输的方向取向生长并且减少晶界；降低烧结温度使得颗粒之间形成良好的熔融接触；抑制Na源和P源的挥发减少杂相，通过上述四个方面的协同作用提高固态电解质的钠离子电导率。为高电导率NASICON基固态电解质的制备提供了理论基础和技术支撑。
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公开(公告)号：CN118788972A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410747189.4
申请日：2024-06-11
申请人： 三峡大学
IPC分类号： B22F9/20 , H01M4/90 , B01J23/75 , B01J35/45 , B01J37/16 , B01J35/33 , C07C213/02 , C07C215/76 , B01J37/08 , B22F1/16 , B22F1/054 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B29/02 , C30B1/10 , C30B1/02 , C25B1/02 , C25B11/091
摘要： 本发明公开了一种碳包覆单晶钴纳米颗粒的合成方法，属于纳米材料制备领域。本发明采用梯度高温热解还原技术，将无机钴盐及柠檬酸球磨混合，通过调节两者的比例，在特定的温度下热处理得到碳包覆单晶钴纳米颗粒。本发明先在较低温度下得到钴的氧化物，然后在较高温度下进行碳热还原得到单晶钴颗粒，柠檬酸同时充当碳源及还原剂，该工艺简单、不需要有毒有害试剂，大大减少了对环境的污染，提高了反应的环境友好性，适用于批量生产。同时，所得的碳包覆单晶钴纳米颗粒具有较好的分散性及较大的比表面积，在催化领域、燃料电池与金属‑空气电池方面有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118600559A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410555849.9
申请日：2024-05-07
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及一种可控无缺陷氮化硅镁晶须粉体及其制备方法。其技术方案是：以纳米硅粉和镁粉为原料、以六水硝酸镍或九水硝酸铁为催化剂，分别配料。将纳米硅粉分散至含酚醛树脂的酒精溶液中，氮气气氛中磁力搅拌，得混合液Ⅰ；向混合液Ⅰ中加入六水硝酸镍或九水硝酸铁，搅拌，得混合液Ⅱ。向混合液Ⅱ中加入聚乙二醇，搅拌，过滤，干燥，在氮气气氛中升温至500～600℃，保温，冷却，破碎，筛分，得混合物；将混合物和镁粉混合，球磨，压制成型，在氮气气氛中，升温至1300～1500℃，保温，随炉冷却，破碎，酸洗，干燥，筛分，制得可控无缺陷氮化硅镁晶须粉体。本发明设备成本低和反应过程易控制；用该方法所制制品无缺陷、强度高且纯度高。
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公开(公告)号：CN115924988B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210693807.2
申请日：2022-06-20
申请人： 天津巴莫科技有限责任公司
摘要： 本发明揭露一种核壳结构三元前驱体及其制备方法和单晶三元材料，核壳结构三元前驱体具有一次颗粒相互交织形成的大孔和小孔随机排列的疏松多孔结构的内核以及锯齿状结构的外壳。外部较厚锯齿壳层，对内部脆弱的疏松多孔结构起到保护作用，减轻了前驱体后处理工序难度，也减少了与锂源混料时开裂和破碎产生的碎片风险及其对材料品质的影响。本发明前驱体与锂源烧结时，更利于Li和掺杂剂向材料内部浸润结晶，外部锯齿状也利于烧结混料时与锂源密切接触。因外壳直接与锂源接触，不存在难以烧结问题，内核疏松多孔，也保证了内部烧结效果，在较低温度、较短时间与锂盐反应得到单晶形貌材料。
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公开(公告)号：CN118516734A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410655317.2
申请日：2024-05-24
申请人： 贵州建设职业技术学院 , 中国科学院地球化学研究所
摘要： 本发明提供了一种在高温高压下生长黝帘石单晶的方法，属于矿物单晶合成技术领域。本发明以Ca(OH)2粉末、Al2O3粉末和SiO2粉末为初始原料，Ca(OH)2粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的钙元素和氢元素，Al2O3粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的铝元素，SiO2粉末提供了合成黝帘石单晶必不可少的硅元素，结合高温预烧提高了初始原料的混合均一性并促使各初始原料间发生一定程度的固相反应，最后在高温高压条件下成功合成了黝帘石单晶。并且，本发明生长黝帘石单晶的过程，环境纯净，试样处于密封环境中，不与杂质接触，得到的黝帘石单晶为纯净物，化学稳定性好，解决了目前黝帘石单晶生长困难的技术难题。
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公开(公告)号：CN118422346A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410529411.3
申请日：2024-04-29
申请人： 宁波大学
摘要： 本发明提供一种可作为交变磁体材料的正交晶系Fe1‑xCrxSb2单晶及其制备方法，属于交变磁体材料领域，本发明提供的可作为交变磁体材料的正交晶系Fe1‑xCrxSb2单晶通过控制制备过程中的温度程序用以达成降低成本、产品形状规则的目的。与现有技术的二次烧结不同，本发明提供的Fe1‑xCrxSb2单晶的准备过程仅需一次加热，降温过程可控，制得的Fe1‑xCrxSb2单晶形状规则，具有产品质量高、操作简单、成本低的优点，在交变磁体材料领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118390158A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410489372.9
申请日：2024-04-23
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。
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公开(公告)号：CN114188526B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010970218.5
申请日：2020-09-15
摘要： 本发明公开了一种单晶正极材料及其制备方法和应用。所述正极材料包括镍锰酸锂，其中，所述单晶正极材料的XRD图谱中，晶面(111)、晶面(311)和晶面(400)的衍射峰强度I(111)、I(311)和I(400)之间满足以下关系：I(111)/[I(311)+I(400)]≤1.0。通过使用特定的熔盐固相反应制备正极材料，使得所述正极材料具有多面体单晶形貌，单晶颗粒暴露的(111)晶面少，进一步还有粒度大，振实密度高，与电解液副反应少等特点。采用所述正极材料的放电容量得到提高，可用于高体积能量密度的锂电池中。
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公开(公告)号：CN117987925A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211328653.3
申请日：2022-10-27
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及Hg3AsSe4Br、Hg3AsSe4I非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述Hg3AsSe4Br、Hg3AsSe4I非线性光学晶体属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2。#imgabs1#该非线性光学晶体可使用高温熔体法或者化学气相输运法制备。该晶体具有红外透过范围宽、非线性光学效应大、机械性能好、易于加工等优点，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓在中红外波段的应用。
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公开(公告)号：CN117947517A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311863430.1
申请日：2023-12-29
申请人： 南京大学(苏州)高新技术研究院
IPC分类号： C30B29/32 , C30B1/10 , C30B25/00 , C30B5/00 , C02F1/30 , C02F1/72 , B01J27/24 , B01J23/28 , B01J35/39 , B01J35/70 , C01B3/04 , C02F101/30 , C02F103/34
摘要： 本发明涉及催化材料技术领域，公开了一种单晶粉末催化材料、含其的异质结复合催化材料及制备方法与应用。通过采用激光熔覆法、流延成型固相反应方法、自蔓延燃烧法、变相‑微波反应合成方法制备ZnSm2MoO7单晶粉末催化材料，并公开含g‑C3N4复合催化剂(ZnSm2MoO7/g‑C3N4催化材料)和含松皮石多孔复合催化剂(ZnSm2MoO7/松皮石催化材料)及其制备方法。本发明所述的催化材料不仅能去除医药废水中的有机污染物，还能去除有机物中总有机碳，可分解水制取氢气。
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