薄膜晶体管
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103503125A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201280020983.4

    申请日:2012-06-19

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L27/3244 H01L29/78633

    Abstract: 本发明公开的薄膜晶体管具有:在基板(21)上形成的栅电极(22);以覆盖该栅电极(22)的方式形成的栅绝缘膜(23);在该栅绝缘膜(23)上形成的氧化物半导体层(24);在该氧化物半导体层(24)的沟道形成部分形成的蚀刻阻挡膜(25);和以覆盖氧化物半导体层(24)和蚀刻阻挡膜(25)的端部的方式形成的源电极(26s)及漏电极(26d)。另外,蚀刻阻挡膜(25)由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。

Patent Agency Ranking