公开(公告)号：CN1705081A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074755.7

申请日：2005-06-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸下景介

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/34 ,  H01L23/345 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是在正常操作或测试操作的所需操作温度范围内进行操作半导体器件。半导体器件100包括温度传感器部分110，其用于检测温度并在温度等于或低于T度时输出生热指令以及在温度等于或高于T′度时输出生热停止指令，以及根据温度传感器110的生热指令/生热停止指令执行/停止生热的生热部分120。即使半导体器件周围的温度低，所述半导体器件100也能不受其影响地保持在特定温度或更高。此外，当半导体器件周围的温度上升时，不产生热量。因此，能够防止由于高温或低温所引起的误动作。

公开(公告)号：CN1638129A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003912.5

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸下景介

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11803 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11898

Abstract: 一种单元(100)包括在半导体衬底上的三层布线层(栅电极层、源/漏电极层和端子层)，该半导体衬底含有其上形成晶体管。形成了用于连接一个单元到另一个单元的输入端子(151)和输出端子(152)的布线层(端子层)之一包括电源线经过区(153)，可以设置电源线穿过该电源线经过区，以从外部电源向单元内的晶体管施加电源电压和地电压的。

公开(公告)号：CN1585271A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410070224.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 畑山薰 ,  炭田昌哉 ,  岸下景介 ,  沼道男

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/01

CPC classification number: H03K19/0016

Abstract: 根据本发明的半导体集成电路包括：包含MOS晶体管的作为控制目标的电路，其中控制电位(至少衬底电位和源电位中的一个)将得到控制；用于基于作为控制目标的电路的内部信号对于控制电位产生控制信号的控制信号生成电路；以及用来基于控制信号控制MOS晶体管的控制电位(衬底电位/源电位)的控制电位控制电路。