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公开(公告)号:CN112512987A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201880096074.6
申请日:2018-08-09
Applicant: 株式会社小原
Abstract: 一种结晶化玻璃基板,其表面具有压缩应力层,所述压缩应力层的最外表面的压缩应力CS(MPa)是400~1400MPa,当将压缩应力的值为CS的50%时的深度记做DOL50%(μm)、将压缩应力的值为0MPa时的深度记做DOLzero(μm)时,DOL50%/DOLzero是0.30以上。
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公开(公告)号:CN112512985A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN201880095951.8
申请日:2018-08-09
Applicant: 株式会社小原
Abstract: 一种结晶化玻璃基板,其表面具有压缩应力层,所述压缩应力层的压缩应力为0MPa时的应力深度DOLzero是45~200μm、所述压缩应力层的最外表面的压缩应力CS是400~1400MPa,通过曲线分析所求得的中心应力CT是55~300MPa。
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公开(公告)号:CN112041278A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201980025616.5
申请日:2019-03-13
Applicant: 株式会社小原
Abstract: 本发明获得一种具有曲面形状的结晶化玻璃部件及其制造方法。具有曲面形状的结晶化玻璃部件的制造方法包括变形步骤,上述变形步骤是将板状玻璃的温度调整为当将板状玻璃的屈服点(℃)设为At时,成为大于[At+40]℃且在[At+146]℃以下的第一温度区域,一边使晶体从所述板状玻璃中析出,一边通过作用于所述板状玻璃的外力,使所述板状玻璃的至少一部分变形为曲面形状。
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公开(公告)号:CN102320744A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201110135914.5
申请日:2011-05-20
Applicant: 株式会社小原
IPC: C03C3/093
Abstract: 本发明提供一种可以用于各种装置的要求表面清洁度为高水平的玻璃基板,特别是提供一种信息记录介质用玻璃基板,所述信息记录介质用玻璃基板具有作为以垂直磁记录方式等为代表的下一代信息记录介质基板用途所要求的各种物性,为了应对高密度化,抑制因附着于基板表面的污染物而产生的磁头碰撞,使介质成膜后的记录再生特性良好。另外,本发明提供一种具有高破坏韧性的信息记录介质用基板以及用于以优良的加工性加工该基板的玻璃材料,该玻璃材料适合应对在今后的记录密度增大方面可能成为必须的HAMR,该玻璃材料的耐热性高,另外该玻璃材料适用于能够以低成本将熔融玻璃进行薄板加工的直接加压法。本发明的玻璃基板的特征在于,其表面Zeta电位值低于-50mV,所述表面Zeta电位值是使用含有Na2SO4作为缓冲剂、且通过H2SO4和NaOH将pH调节为10的水溶液测定得到的。
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公开(公告)号:CN118184131A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410318426.5
申请日:2020-08-19
Applicant: 株式会社小原
Abstract: 本发明的课题在于,获得一种具有新颖组成的高折射率且高硬度的结晶化玻璃以及强化结晶化玻璃。一种结晶化玻璃,其以氧化物换算的质量%计含有:SiO2成分20.0%以上且不足40.0%,Rn2O成分超过0%且为20.0%以下(其中Rn选自Li、Na、K中的1种以上),Al2O3成分7.0%至25.0%,MgO成分0%至25.0%,ZnO成分0%至45.0%,Ta2O5成分0%至20.0%,且MgO成分与ZnO成分与Ta2O5成分的合计量为10.0%以上。
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公开(公告)号:CN116057024A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202180054457.9
申请日:2021-08-23
Applicant: 株式会社小原
IPC: C03C21/00
Abstract: 本发明可提供一种可在表面获得高压缩应力值的易加工的结晶化玻璃以及强化结晶化玻璃。一种结晶化玻璃,含有选自α‑白硅石以及α‑白硅石固溶体中一种以上作为主结晶相,以氧化物换算的质量%计:SiO2成分的含量为50.0%至75.0%、Li2O成分的含量为3.0%至10.0%、Al2O3成分的含量为5.0%以上至小于15.0%、B2O3成分的含量为大于0%至10.0%以下。
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公开(公告)号:CN112512987B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN201880096074.6
申请日:2018-08-09
Applicant: 株式会社小原
Abstract: 一种结晶化玻璃基板,其表面具有压缩应力层,所述压缩应力层的最外表面的压缩应力CS(MPa)是400~1400MPa,当将压缩应力的值为CS的50%时的深度记做DOL50%(μm)、将压缩应力的值为0MPa时的深度记做DOLzero(μm)时,DOL50%/DOLzero是0.30以上。
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