公开(公告)号：CN1115459A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN95103271.2

申请日：1995-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田村太久夫 ,  中野朝雄 ,  末永和史 ,  尾形洁 ,  笹崇三 ,  熊坂登行

IPC: G11B5/255

CPC classification number: C01F7/162 ,  C01B33/20 ,  C01F7/16 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/70 ,  C23C14/08 ,  C23C30/00 ,  G11B5/255 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/53 ,  G11B15/61

Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所说的保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。

公开(公告)号：CN1404160A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02102827.3

申请日：2002-01-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 堀越和彦 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  中原美和子 ,  大仓理 ,  折付良二 ,  中野泰 ,  芝健夫

IPC: H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1079984C

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN94119335.7

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中野朝雄 ,  田村太久夫 ,  末永和史 ,  尾形洁 ,  笹岛崇三 ,  熊坂登行

IPC: H01F10/14

CPC classification number: G11B5/3109 ,  G11B5/147 ,  H01F10/131 ,  H01F17/04 ,  H01F41/18 ,  H02K99/00

Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65-80%、 M6-16%、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3-15%的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5-14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0.5-2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500-560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。