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公开(公告)号：CN1241269C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02130120.4
申请日：2002-08-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/78621
Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
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公开(公告)号：CN101197372A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710194577.0
申请日：2003-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/088 , H01L23/532 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/58
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/3148 , H01L21/31612 , H01L21/31629 , H01L21/31633 , H01L21/318 , H01L21/76801 , H01L21/7681 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/5222 , H01L23/525 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。
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公开(公告)号：CN1452244A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03130796.5
申请日：2003-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/3148 , H01L21/31612 , H01L21/31629 , H01L21/31633 , H01L21/318 , H01L21/76801 , H01L21/7681 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/5222 , H01L23/525 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。
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公开(公告)号：CN101197372B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710194577.0
申请日：2003-04-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/088 , H01L23/532 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/00 , H01L23/58
CPC classification number: H01L21/76835 , H01L21/3148 , H01L21/31612 , H01L21/31629 , H01L21/31633 , H01L21/318 , H01L21/76801 , H01L21/7681 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/5222 , H01L23/525 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48799 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。
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公开(公告)号：CN1310335C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02102827.3
申请日：2002-01-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/768 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78603
Abstract: 以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1197169C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01140707.7
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/969
Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管，通过对非晶硅膜多次照射激光，实现由多个晶粒构成，通过抑制邻接晶粒粒的边界部分中突起的发生，成为至少2个以上的晶粒集合体，在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇晶；可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。
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公开(公告)号：CN1109628A
公开(公告)日：1995-10-04
申请号：CN94119335.7
申请日：1994-10-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01F10/14
CPC classification number: G11B5/3109 , G11B5/147 , H01F10/131 , H01F17/04 , H01F41/18 , H02K99/00
Abstract: 把Fe-M-C(其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属)作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均粒度为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均粒度为0.5—2nm的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。
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公开(公告)号：CN1441501A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02130120.4
申请日：2002-08-22
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: H01L29/66757 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/3244 , H01L29/78621
Abstract: 构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
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公开(公告)号：CN1357925A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01140707.7
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S438/969
Abstract: 一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。
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公开(公告)号：CN1065645C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN95103271.2
申请日：1995-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C01F7/162 , C01B33/20 , C01F7/16 , C01P2002/02 , C01P2002/70 , C23C14/08 , C23C30/00 , G11B5/255 , G11B5/3106 , G11B5/53 , G11B15/61
Abstract: 本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所述保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi2O6区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与0结合，Mg以六配位与0结合，Si以四配位与0结合。
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