公开(公告)号：CN103119727A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180045445.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉见雅士 ,  市川满 ,  宇都俊彦 ,  山本宪治

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。

公开(公告)号：CN102187471A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980140938.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉河训太 ,  市川满 ,  山本宪治

IPC: H01L31/04

Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法，该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1～12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明，在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场，因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下，也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此，晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能，能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。