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公开(公告)号：CN111868939A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019951.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供在室外和室内这两种环境下都抑制太阳能电池的性能降低的太阳能电池。太阳能电池(1)具备光电转换基板(11)、配置于光电转换基板(11)的两个主面的每一个或光电转换基板(11)的一个主面的第一导电型半导体层(25)及第二导电型半导体层(35)、以及、与第一导电型半导体层(25)对应的第一电极层(27)及与第二导电型半导体层(35)对应的第二电极层(37)，在与偏离太阳能电池而配置的遮光部件(70)组合使用的太阳能电池中，在光电转换基板(11)的主面，具有与遮光部件(70)对应的特定区域(60)和特定区域(60)以外的非特定区域，特定区域(60)中的电阻中的串联电阻分量与非特定区域中的电阻中的串联电阻分量相比，为高电阻。
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公开(公告)号：CN102341916B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080010205.8
申请日：2010-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0725 , H01L27/142 , H01L31/0392 , H01L31/05 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/0465 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看，至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内，光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10，串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。
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公开(公告)号：CN100420039C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200480001413.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子%～60原子%的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。
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公开(公告)号：CN108140735B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及
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公开(公告)号：CN108140735A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
CPC classification number: H01L31/0725 , H01G9/2009 , H01L31/028 , H01L51/44 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7以及
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119727B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201180045445.6
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/0684 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。
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公开(公告)号：CN102341916A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010205.8
申请日：2010-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/078 , H01L31/03921 , H01L31/03923 , H01L31/0465 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看，至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内，光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10，串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。
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公开(公告)号：CN1706050A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001413.6
申请日：2004-07-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种层积型光电变换装置，在衬底(1)上从光入射侧顺序层积一导电型层(31、51)、实质本征半导体的光电变换层(32、52)、及含有反向导电型层(33、53)的多个光电变换单元(3、5)，相对地配置于光入射侧的前方光电变换单元(3)内的反向导电型层(33)和邻接该前方光电变换单元(3)配置的后方光电变换单元(5)内的一导电型层(51)中的至少一者至少在其一部分具有硅复合层(4)，该硅复合层(4)具有20nm～130nm的厚度和25原子％～60原子％的氧浓度，在硅和氧的非晶质合金相中含有富硅相。
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公开(公告)号：CN111868939B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980019951.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供在室外和室内这两种环境下都抑制太阳能电池的性能降低的太阳能电池。太阳能电池(1)具备光电转换基板(11)、配置于光电转换基板(11)的两个主面的每一个或光电转换基板(11)的一个主面的第一导电型半导体层导电型半导体层(25)对应的第一电极层(27)及与第二导电型半导体层(35)对应的第二电极层(37)，在与偏离太阳能电池而配置的遮光部件(70)组合使用的太阳能电池中，在光电转换基板(11)的主面，具有与遮光部件(70)对应的特定区域(60)和特定区域(60)以外的非特定区域，特定区域(60)中的电阻中的串联电阻分量与非特定区域中的电阻中的串联电阻分量相比，为高电阻。(25)及第二导电型半导体层(35)、以及、与第一
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公开(公告)号：CN102187471B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980140938.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/04
Abstract: 本发明涉及硅系薄膜太阳能电池的制造方法，该硅系薄膜太阳能电池具备包括从透光性基板侧依次层叠的p型层4p、晶体i型硅光电转换层4ic和n型层4nc的晶体硅光电转换单元。在晶体i型硅光电转换层4ic上形成与晶体i型硅光电转换层相接且具有膜厚为1～12nm的n型硅合金层的n型硅系薄膜层4na。根据本发明，在晶体i型硅光电转换层4ic和n型硅系薄膜层4na的界面产生强的电场，因此即使晶体i型硅光电转换层4ic在该界面附近包含大量的缺陷的情况下，也能够得到具有高光电转换特性的薄膜太阳能电池。因此，晶体i型硅光电转换层4ic的高速制膜成为可能，能够以低成本提供高效率的硅系薄膜太阳能电池。
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